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内容大纲
贾扬·巴利加著的《IGBT器件--物理设计与应用(电子科学与工程系列图书)》从IGBT发明开始,介绍了IGBT的模型和基本工作原理、各种元胞结构、设计与制造工艺、封装与驱动、安全工作区等,并给出了在多达十几个行业中的具体应用,包括应用电路和参数指标等。
本书内容深入浅出,适合电力电子、微电子、功率器件、功率IC设计与制造领域的研究人员、技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的参考书。 -
作者介绍
贾扬·巴利加(B.Jayant Baliga),教授是国际公认的功率半导体器件领域的专家,发表了500多篇学术文章,拥有120项美国专利。他在IGBT概念、发展和商业化方面的工作得到了美国奥巴马总统的认可,获得了2011年美国国家技术创新奖章——这是美国政府授予工程师的最高荣誉,以及2014年IEEE荣誉勋章——电气工程领域的最高荣誉。 -
目录
译者序
原书序
原书前言
作者简介
第1章 绪论
1.1 IGBT应用范围
1.2 基本的IGBT器件结构
1.3 IGBT发展和商业化历史
1.4 功率等级的扩展
1.5 总结
参考文献
第2章 IGBT的结构和工作模式
2.1 对称的D-MOS结构
2.2 非对称的D-MOS结构
2.3 沟槽栅IGBT结构
2.4 透明集电极IGBT结构
2.5 新颖的IGBT结构
2.6 横向IGBT结构
2.7 互补的IGBT结构
2.8 总结
参考文献
第3章 IGBT结构设计
3.1 阈值电压
3.2 对称结构IGBT
3.2.1 阻断电压
3.2.2 开态特性
3.2.3 积累电荷
3.2.4 关断波形
3.2.5 关断损耗
3.2.6 能量损耗折中曲线
3.3 非对称结构IGBT
3.3.1 阻断电压
3.3.2 开态特性
3.3.3 积累电荷
3.3.4 关断波形
3.3.5 关断损耗
3.3.6 能量损耗折中曲线
3.4 透明集电极IGBT
3.4.1 阻断电压
3.4.2 开态特性
3.4.3 积累电荷
3.4.4 关断波形
3.4.5 关断损耗
3.4.6 能量损耗折中曲线
3.5 SiC
3.5.1 N型非对称SiC IGBT
3.5.2 阻断电压
3.5.3 导通电压降
3.5.4 关断特性
3.5.5 关断损耗
3.6 优化非对称结构SiC IGBT结构
3.6.1 优化结构设计
3.6.2 导通电压降
3.6.3 关断特性
3.6.4 能量损耗折中曲线
3.6.5 最大工作频率
3.7 总结
参考文献
第4章 安全工作区设计
4.1 寄生晶闸管
4.2 抑制寄生晶闸管
4.2.1 深P+扩散
4.2.2 减小栅氧化层厚度
4.2.3 空穴电流分流结构
4.2.4 器件元胞拓扑
4.2.5 抑制闩锁器件结构
……
第5章 芯片设计?保护和制造
第6章 封装和模块设计
第7章 门驱动电路设计
第8章 IGBT模型
第9章 IGBT应用:运输
第10章 IGBT应用:工业
第11章 IGBT应用:照明
第12章 IGBT应用:消费类电子
第13章 IGBT应用:医疗
第14章 IGBT应用:国防
第15章 IGBT应用:可再生能源
第16章 IGBT应用:电力传输
第17章 IGBT应用:金融
第18章 IGBT应用:其他
第19章 IGBT社会影响
第20章 总述
附录 英文缩略语表
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