- 三维存储芯片技术/新视野电子电气科技丛书
- - 作者：(圣马)里诺·米歇洛尼|责编:王芳|译者:吴华强//高滨//钱鹤
  - 出版社：清华大学
  - ISBN：9787302531340
  - 出版日期：2020/02/01
  - 页数：277
- 售价：47.2

内容大纲
存储器芯片是集成电路芯片里面最为重要的专用芯片。三维存储器芯片是当前技术发展的最前沿。本书是国际上第一本系统介绍三维存储器的专业书籍，包括了3D NAND，新型3D NAND架构，三维RRAM，算法，ECC和系统架构等。本书覆盖面广，内容新，对于研究存储器的研究人员和学生是一本必不可少的好书。
作者介绍
目录
第l章  NAND存储器的生态
  1.1  存储器行业变迁
    1.1.1  NAND及存储器供应商的整合
    1.1.2  NAND技术发展
    1.1.3  NAND应用模式的变化
  1.2  固体硬盘
    1.2.1  企业级SSD
    1.2.2  Build—Your一Own和客制化SSI)
    1.2.3  SSI)控制器的经济效应
    1.2.4  消费级SSD
  1.3  NAND技术演进：3D NAND
    1.3.1  3D NAND技术
    1.3.2  3D NAND产品以TLC为主导
    1.3.3  浮栅技术vS电荷俘获技术
    1.3.4  封装创新：TSV NAND
  1.4  新存储器技术
  1.5  未来5年我们期待什么
第2章  3D NAND Flash的可靠性
  2.1  引言
  2.2  NAND Flash可靠性
    2.2.1  耐擦写特性
    2.2.2  数据保持特性
    2.2.3  不稳定的存储位和过度写入
  2.3  与架构相关的可靠性问题
  2.4  2D电荷俘获器件：基础知识
  2.5  2D电荷俘获器件：可靠性问题
    2.5.1  耐擦写特性退化
    2.5.2  数据保持特性
    2.5.3  检测时的阈值电压变化
  2.6  从2D到3D的电荷俘获NAND
  2.7  3D电荷俘获器件：可靠性问题
    2.7.1  顶部和底部氧化层的垂直电荷损失
    2.7.2  间隔处的横向迁移
    2.7.3  阈值电压瞬态偏移
    2.7.4  写入和通道串扰
    2.7.5  垂直通道设计的局限性
  2.8  3D电荷俘获器件与最先进的2D浮栅器件的对比
  2.9  3D浮栅NAND
    2.9.1  Dc—sF串扰和保持特性结果
    2.9.2  S—SCG串扰结果
    2.9.3  S—SCG性能和可靠性优势
  2.10  3D电荷俘获器件和3D浮栅器件比较
参考文献
第3章  3D堆叠NAND FLash
  3.1  引言
  3.2  浮栅单元
  3.3  NAND基本操作
    3.3.1  读取
    3.3.2  写入
    3.3.3  擦除

  3.4  3D堆叠结构
  3.5  3D堆叠层的偏压
参考文献
第4章  3D电荷俘获型NAND Flash
  4.1  简介
  4.2  BiCS结构
  4.3  P—BiCS结构
  4.4  VRAT结构和Z VRAT结构
  4.5  VSAT结构和A—VSAT结构
  4.6  TCAT结构
  4.7  V—NAND结构
参考文献
第5章  浮栅型3D NAND Flash
  5.1  简介
  5.2  传统浮栅型Flash
  5.3  ESCG结构Flash器件
  5.4  DC—SF结构Flash器件
  5.5  S-SCG结构Flash器件
  5.6  SCP Flash结构
  5.7  水平沟道Flash结构
  5.8  工业界3D浮栅型NAND Flash结构
参考文献
第6章  垂直沟道型3D NAND Flash的最新结构
  6.1  简介
  6.2  传统柱(孔)形结构
  6.3  交错柱(孔)形阵列
  6.4  交错柱形的P—BiCS
  6.5  单片奇一偶行存储器串
  6.6  交错位线互连
  6.7  总结
参考文献
第7章  垂直栅极型3D NAND Flash的最新结构
  7.1  简介
  7.2  3D NAND结构
  7.3  VG型3D NAND架构
  7.4  VG型3D NAND的主要架构注意事项
  7.5  VG类型3 D NAND阵列操作
    7.5.1  读操作
    7.5.2  编程操作
    7.5.3  擦除操作
  7.6  VG型3D NAND Flash中串扰问题
  7.7  总结
第8章  RRAM交叉阵列
  8.1  RRAM简介
    8.1.1  历史与发展
    8.1.2  RRAM的结构和机理
  8.2  3D RRAM
    8.2.1  3D架构
    8.2.2  交叉阵列RRAM中的泄漏通路问题
    8.2.3  选择器件

    8.2.4  自整流RRAM
    8.2.5  互补RRAM
  8.3  3D RRAM阵列分析
  8.4  3D RRAM的进展
    8.4.1  InteI和Micron公司的3D XPoint存储器
    8.4.2  Sandisk和Toshiba公司的32Gb 3D交叉阵列RRAM
    8.4.3  CrOSSbar公司的3D RRAM
    8.4.4  其余进展
  8.5  3D RRAM的挑战和前景
第9章  NAND Flash的3D多芯片集成与封装技术
  9.1  3D多芯片集成
  9.2  纳米器件制造中的挑战
  9.3  片上互连的挑战
  9.4  通过SiP实现异质集成
  9.5  减小尺寸与成本的解决方案
  9.6  3D多芯片SiP技术解决方案
    9.6.1  多芯片SiP的2D、3D空间配置与衍生
    9.6.2  多芯片SiP集成工艺：裸片到裸片，晶圆到晶圆与裸片到晶圆
    9.6.3  3D多芯片SiP的挑战
  9.7  NAND裸片堆叠
  9.8  硅通孔NAND
第10章  用于NAND Flash存储器的BcH和LDPC纠错码
  10.1  介绍
  10.2  BCH码
    10.2.1  BCH编码
    lO.2.2  BCH译码
    10.2.3  多通道BCH
    10.2.4  多种码率BCH
    10.2.5  BCH检测性能
  10.3  低密度奇偶检查码
    10.3.1  LDPC码和NAND F1ash存储器
    10.3.2  LDPC码的编码
    10.3.3  LDPC码解码
    10.3.4  应用于NAND Flash存储器的QC—I.DPC
第1l章  用于现代NVM的基于代数和图论的高级。ECC：方案
  11.1  不对称代数ECC
    11.1.1  分级位纠错码(Graded—Bit—Error Correcting Co(tes)
    11.1.2  动态阈值
  11.2  非二进制LDPC码
    11.2.1  二进制陷阱／吸收集
    11.2.2  非二元吸收组
    11.2.3  性能分析及其含义(implleations)
  11.3  总结
第12章  3D NAND Flash设计的系统级思考
  12.1  引言
  12.2  固态硬盘的背景知识
  12.3  SSD性能提升技术
    12.3.1  存储引擎协助的SSD
    12.3.2  逻辑块地址scrambled SSD
    12.3.3  M—SCM／3D NAND混合的SSD

    12.3.4  A11 S—SCM SSD
  12.4  总结与结论

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