- CMOS超大规模集成电路设计(第4版)/国外电子与通信教材系列
- - 作者：(美)Neil H.E.Weste//David Money Harris|责编:周宏敏|译者:周润德
  - 出版社：电子工业
  - ISBN：9787121174704
  - 出版日期：2012/07/01
  - 页数：712
- 售价：63.6

内容大纲
本书是本经典教材。本版本反映了近年来集成电路设计领域面貌的迅速变化，突出了延时、功耗、互连和鲁棒性等关键因素的影响。内容涵盖了从系统级到电路级的CMOSVLSI设计方法，介绍了CMOS集成电路的基本原理，设计的基本问题，基本电路和子系统的设计，以及CMOS系统的设计实例（包括一系列当前设计方法和CMOS的特有问题，以及测试、可测性设计和调试等技术）。全书加强了对业界积累的许多宝贵设计经验的介绍。
本书可作为高等院校电子科学与技术、微电子学与固体电子学、集成电路工程、计算机科学与技术、自动化、汽车电子及精密仪器制造等专业的本科生和研究生在CMOS集成电路设计方面的教科书，并可作为从事集成电路设计领域研究和技术工作的工程技术人员和高等院校教师的常备参考书。
作者介绍
目录
第1章  引论
  1.1  集成电路简史
  1.2  概述
  1.3  MOS晶体管
  1.4  CMOS逻辑
    1.4.1  反相器
    1.4.2  与非（NAND）门
    1.4.3  CMOS逻辑门
    1.4.4  或非（NOR）门
    1.4.5  复合门
    1.4.6  传输管和传输门
    1.4.7  三态门
    1.4.8  多路开关
    1.4.9  时序电路
  1.5  CMOS的制造和版图
    1.5.1  反相器的横截面图
    1.5.2  制造工艺
    1.5.3  版图设计规则
    1.5.4  门级版图
    1.5.5  棒图
  1.6  设计划分
    1.6.1  设计抽象
    1.6.2  结构化设计
    1.6.3  行为、结构和物理设计域
  1.7  举例：一个简单的MIPS微处理器
    1.7.1  MIP体系结构
    1.7.2  多周期MIPS微结构
  1.8  逻辑设计
    1.8.1  顶层接口
    1.8.2  框图
    1.8.3  设计层次
    1.8.4  硬件描述语言
  1.9  电路设计
  1.10  物理设计
    1.10.1  平面规划
    1.10.2  标准单元
    1.10.3  节距匹配
    1.10.4  分片规划
    1.10.5  阵列
    1.10.6  面积估算
  1.11  设计验证
  1.12  制造、封装和测试
  本章小结和本书概要
  习题
第2章  MOS晶体管原理
  2.1  引言
  2.2  长沟道晶体管的I-V特性
  2.3  C-V特性
    2.3.1  简化的MOS电容模型
    2.3.2  精确的MOS栅电容模型

    2.3.3  精确的MOS扩散电容模型
  2.4  非理想的I-V效应
    2.4.1  迁移率退化和速度饱和
    2.4.2  沟道长度调制
    2.4.3  阈值电压效应
    2.4.4  泄漏
    2.4.5  温度相关性
    2.4.6  几何形状相关性
    2.4.7  小结
  2.5  直流传输特性
    2.5.1  静态CMOS反相器的直流特性
    2.5.2  β比例效应
    2.5.3  噪声容限
  ……
第3章  CMOS工艺技术
第4章  延时
第5章  功耗
第6章  互连线
第7章  鲁棒性
第8章  电路模拟
第9章  组合电路设计
第10章  时序电路设计
第11章  数据通路子系统
第12章  阵列子系统
第13章  专用子系统
第14章  设计方法学与工具
第15章  调试与验证
附录A  硬件描述语言
参考文献
索引

内容大纲

作者介绍

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