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    • 半导体器件导论(英文版)/国外电子与通信教材系列
      • 作者:(美)唐纳德·A.尼曼|责编:马岚
      • 出版社:电子工业
      • ISBN:9787121448973
      • 出版日期:2023/03/01
      • 页数:678
    • 售价:51.6
  • 内容大纲

        本书适合作为集成电路、微电子、电子科学与技术等专业高年级本科生和研究生学习半导体器件物理的双语教学教材,内容涵盖了量子力学、固体物理、半导体物理和半导体器件的全部内容。全书在介绍学习器件物理所必需的基础理论之后,重点讨论了pn结、金属-半导体接触、MOS场效应晶体管和双极型晶体管的工作原理和基本特性。最后论述了结型场效应晶体管、晶闸管、MEMS和半导体光电器件的相关内容。本书提供了丰富的习题和自测题,并给出了大量的分析或设计实例,有助于读者对基本理论和概念的理解。
  • 作者介绍

  • 目录

    CHAPTER 1  The Crystal Structure of Solids  固体的晶体结构
      1.0  PREVIEW  概览
      1.1  SEMICONDUCTOR MATERIALS  半导体材料
      1.2  TYPES OF SOLIDS  固体类型
      1.3  SPACE LATTICES  空间点阵
        1.3.1  Primitive and Unit Cell  原胞与晶胞
        1.3.2  Basic Crystal Structures  基本晶体结构
        1.3.3  Crystal Planes and Miller Indices  晶面和米勒指数
        1.3.4  The Diamond Structure  金刚石结构
      1.4  ATOMIC BONDING  原子价键
      1.5  IMPERFECTIONS AND IMPURITIES IN SOLIDS  固体中的缺陷和杂质
        1.5.1  Imperfections in Solids  固体缺陷
        1.5.2  Impurities in Solids  固体中的杂质
      1.6  GROWTH OF SEMICONDUCTOR MATERIALS  半导体材料生长
        1.6.1  Growth from a Melt  熔体生长
        1.6.2  Epitaxial Growth  外延生长
      1.7  DEVICE FABRICATION TECHNIQUES: OXIDATION  器件制备技术:氧化
      1.8  SUMMARY  小结
      PROBLEMS  习题
    CHAPTER 2  Theory of Solids  固体理论
      2.0  PREVIEW  概览
      2.1  PRINCIPLES OF QUANTUM MECHANICS  量子力学的基本原理
        2.1.1  Energy Quanta  能量子
        2.1.2  Wave-Particle Duality Principle  波粒二象性
      2.2  ENERGY QUANTIZATION AND PROBABILITY CONCEPTS  能量量子化和概率
        2.2.1  Physical Meaning of the Wave Function  波函数的物理意义
        2.2.2  The One-Electron Atom  单电子原子
        2.2.3  Periodic Table  元素周期表
      2.3  ENERGY-BAND THEORY  能带理论
        2.3.1  Formation of Energy Bands  能带的形成
        2.3.2  The Energy Band and the Bond Model  能带与价键模型
        2.3.3  Charge Carriers—Electrons and Holes  载流子——电子和空穴
        2.3.4  Effective Mass  有效质量
        2.3.5  Metals, Insulators, and Semiconductors  金属、 绝缘体和半导体
        2.3.6  The k-Space Diagram  k 空间能带图
      2.4  DENSITY OF STATES FUNCTION  态密度函数
      2.5  STATISTICAL MECHANICS  统计力学
        2.5.1  Statistical Laws  统计规律
        2.5.2  The Fermi-Dirac Distribution Function and the Fermi Energy  费米-狄拉克分布和费米能级
        2.5.3  Maxwell-Boltzmann Approximation  麦克斯韦-玻尔兹曼近似
      2.6  SUMMARY  小结
      PROBLEMS  习题
    CHAPTER 3  The Semiconductor in Equilibrium  平衡半导体
      3.0  PREVIEW  概览
      3.1  CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS  半导体中的载流子
        3.1.1  Equilibrium Distribution of Electrons and Holes  电子和空穴的平衡分布
        3.1.2  The n0 and p0 Equations  平衡电子和空穴浓度方程
        3.1.3  
        3.2.1  Qualitative Description  定性描述
        3.2.2  Ionization Energy  电离能
        3.2.3  Group III-V Semiconductors  III-V族半导体
      3.3  CARRIER DISTRIBUTIONS IN THE EXTRINSIC SEMICONDUCTOR  非本征半导体的载流子分布
        3.3.1  Equilibrium Distribution of Electrons and Holes  电子和空穴的平衡分布
        3.3.2  The n0 p0 Product  n0 p0 积
        3.3.3  The Fermi-Dirac Integral  费米-狄拉克积分
        3.3.4  Degenerate and Nondegenerate Semiconductors  简并与非简并半导体
      3.4  STATISTICS OF DONORS AND ACCEPTORS  施主和受主的统计分布
        3.4.1  Probability Function  概率分布函数
        3.4.2  Complete Ionization and Freeze-Out  完全电离与冻析
      3.5  CARRIER CONCENTRATIONS—EFFECTS OF DOPING  载流子浓度——掺杂的影响
        3.5.1  Compensated Semiconductors  补偿半导体
        3.5.2  Equilibrium Electron and Hole Concentrations  平衡电子和空穴浓度
      3.6  POSITION OF FERMI ENERGY LEVEL—EFFECTS OF DOPING AND TEMPERATURE  费米能级的位置——掺杂和温度的影响
        3.6.1  Mathematical Derivation  数学推导
        3.6.2  Variation of EF with Doping Concentration and Temperature  EF 随掺杂浓度和温度的变化
        3.6.3  Relevance of the Fermi Energy  费米能级的关联性
      3.7  DEVICE FABRICATION TECHNOLOGY: DIFFUSION AND ION IMPLANTATION  器件制备技术:扩散和离子注入
        3.7.1  Impurity Atom Diffusion  杂质原子扩散
        3.7.2  Impurity Atom Ion Implantation  离子注入
      3.8  SUMMARY  小结
      PROBLEMS  习题
    CHAPTER 4  Carrier Transport and Excess Carrier Phenomena  载流子输运和过剩载流子现象
    CHAPTER 5  The pn Junction and Metal-Semiconductor Contactpn结和金属-半导体接触
    CHAPTER 6  Fundamentals of the Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TransistorMOS场效应晶体管基础
    CHAPTER 7  Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor: Additional ConceptsMOS场效应晶体管的其他概念
    CHAPTER 8  Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductors半导体中的非平衡过剩载流子
    CHAPTER 9  The pn Junction and Schottky Diodes pn结二极管与肖特基二极管
    CHAPTER 10  The Bipolar Transistor 双极型晶体管
    CHAPTER 11  Additional Semiconductor Devices and Device Concepts其他半导体器件及器件概念
    CHAPTER 12  Optical Devices 光子器件