- 氮化物半导体技术--功率电子和光电子器件/半导体与集成电路关键技术丛书
- - 作者：编者:(意)法布里齐奥·罗卡福特//(波)迈克·莱辛斯基|责编:杨琼|译者:李晨//吴洪江//石伟
  - 出版社：机械工业
  - ISBN：9787111728733
  - 出版日期：2023/07/01
  - 页数：400
- 售价：75.6

内容大纲
    近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。这些第三代半导体具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，研究和利用这些半导体是助力社会节能减排并实现“双碳”目标的重要发展方向。
    本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。
    本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。
作者介绍
目录
序
原书前言
原书  致谢
第1章  氮化镓材料的性能及应用
  1.1  历史背景
  1.2  氮化物的基本性质
    1.2.1  微观结构及相关问题
    1.2.2  光学性质
    1.2.3  电学性质
    1.2.4  AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气（2DEG）
  1.3  GaN基材料的应用
    1.3.1  光电子器件
    1.3.2  功率电子器件和高频电子器件
  1.4  总结
  致谢
  参考文献
第2章  GaN基材料：衬底、金属有机物气相外延和量子阱
  2.1  引言
  2.2  块体GaN生长
    2.2.1  氢化物气相外延（HVPE）
    2.2.2  钠助溶剂生长法
    2.2.3  氨热生长
  2.3  金属有机物气相外延生长
    2.3.1  氮化物MOVPE基础知识
    2.3.2  异质衬底上外延
    2.3.3  通过ELOG、FACELO等方法减少缺陷
    2.3.4  原位ELOG沉积SiN
    2.3.5  氮化物掺杂
    2.3.6  其他二元和三元氮化物生长
  2.4  InGaN量子阱的生长及分解
    2.4.1  InGaN量子阱在极化、非极化以及半极化GaN衬底上的生长
    2.4.2  铟含量分布波动的原因
    2.4.3  InGaN量子阱的均质化
    2.4.4  量子阱的分解
  2.5  总结
  致谢
  参考文献
第3章  毫米波用GaN基HEMT
  3.1  引言
  3.2  GaN毫米波器件的主要应用
    3.2.1  高功率应用
    3.2.2  宽带放大器
    3.2.35  G
  3.3  用于毫米波的GaN材料应用设计
    3.3.1  与其他射频器件的材料性能对比
    3.3.2  射频器件中的特殊材料
  3.4  毫米波GaN器件的设计与制造
    3.4.1  各种GaN器件关键工艺步骤
    3.4.2  先进的毫米波GaN晶体管
  3.5  MMIC功率放大器概述

    3.5.1  基于Ⅲ-N器件的MMIC技术
    3.5.2  从Ka波段到D波段频率的MMIC示例
  3.6  总结
  参考文献
第4章  常关型GaN HEMT技术
  4.1  引言
    4.1.1  AlGaN/GaN HEMT阈值电压
  4.2  GaN HEMT“共源-共栅”结构
  4.3  “真正的”常关型HEMT技术
    4.3.1  凹栅HEMT
    4.3.2  氟技术HEMT
    4.3.3  凹栅混合MIS HEMT
    4.3.4  p型GaN栅HEMT
  4.4  其他方法
  4.5  总结
  致谢
  参考文献
第5章  垂直型GaN功率器件
  5.1  引言
  5.2  用于功率转换的垂直型GaN器件
  5.3  垂直型GaN晶体管
    5.3.1  电流孔径垂直电子晶体管（CAVET）
    5.3.2  垂直型GaN MOSFET
  5.4  GaN高压二极管
  5.5  GaN p-n二极管雪崩电致发光
  5.6  GaN的碰撞电离系数
  5.7  总结
  致谢
  参考文献
第6章  GaN电子器件可靠性
  6.1  引言
    6.1.1  GaN HEMT的可靠性测试和失效分析
  6.2  射频应用中GaN HEMT的可靠性
    6.2.1  AlGaN/GaN HEMT
    6.2.2  InAlN/GaN HEMT
    6.2.3  射频GaN HEMT中的热问题
  6.3  GaN功率开关器件的可靠性和鲁棒性
    6.3.1  掺碳GaN缓冲层中的寄生效应
    6.3.2  p型GaN开关HEMT中的栅极退化
    6.3.3  GaN MIS HEMT中阈值电压不稳定性
  6.4  总结
  致谢
  参考文献
第7章  发光二极管
  7.1  引言
  7.2  最先进的GaN发光二极管
    7.2.1  蓝光二极管
    7.2.2  绿光二极管
  7.3  GaN白光LED：制备方法和特性
    7.3.1  单片发光二极管

    7.3.2  磷光体覆盖的发光二极管
  7.4  AlGaN深紫外LED
    7.4.1  生长高质量AlN和提高内量子效率（IQE）
    7.4.2  基于AlGaN的UVC LED
    7.4.3  提高光提取效率（LEE）
  7.5  总结
  致谢
  参考文献
第8章  分子束外延生长激光二极管
  8.1  引言
  8.2  等离子体辅助分子束外延（PAMBE）Ⅲ-N族材料的生长原理
    8.2.1  N通量在高效InGaN量子阱材料中的作用
  8.3  宽InGaN量子阱——超越量子约束的斯塔克效应
  8.4  Ammono-GaN衬底制备的长寿命激光二极管
  8.5  隧道结激光二极管
    8.5.1  垂直互连的激光二极管堆
    8.5.2  分布式反馈激光二极管
  8.6  总结
  致谢
  参考文献
第9章  边缘发射激光二极管和超辐射发光二极管
  9.1  激光二极管的历史与发展
    9.1.1  光电子学背景
    9.1.2  GaN技术突破
    9.1.3  氮化物激光二极管的发展
  9.2  分布式反馈激光二极管
  9.3  超辐射发光二极管
    9.3.1  超辐射发光二极管的发展历史
    9.3.2  基本SLD特性
    9.3.3  SLD优化面临的挑战
  9.4  半导体光放大器
  9.5  总结
  参考文献
第10章  绿光和蓝光垂直腔面发射激光器
  10.1  引言
    10.1.1  GaN VCSEL的特性和应用
    10.1.2  GaN VCSEL的简史和现状
    10.1.3  不同DBR结构GaN VCSEL
  10.2  不同器件结构的散热效率
    10.2.1  器件热分布模拟
    10.2.2  热阻Rth对谐振腔长度的依赖性
  10.3  基于InGaN量子点的绿光VCSEL
    10.3.1  量子点相对于量子阱的优势
    10.3.2  InGaN量子点的生长及其光学特性
    10.3.3  VCSEL的制备过程
    10.3.4  绿光量子点VCSEL特性
  10.4  基于蓝光InGaN量子阱局域态和腔增强发光效应的绿光VCSEL
    10.4.1  谐振腔效应
    10.4.2  谐振腔增强的绿光VCSEL的特性
  10.5  基于量子阱内嵌量子点有源区结构的双波长激射

    10.5.1  量子阱内嵌量子点（QD-in-QW）结构特性
    10.5.2  VCSEL激射特性
  10.6  具有不同横向光限制的蓝光VCSEL
    10.6.1  折射率限制结构的设计
    10.6.2  LOC结构VCSEL的发光特性
  10.7  总结
  参考文献
第11章  新型电子和光电应用的2D材料与氮化物集成
  11.1  引言
  11.2  用氮化物半导体制造2D材料异质结构
    11.2.1  转移在其他衬底上生长的2D材料
    11.2.22  D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生长
    11.2.3  氮化物半导体薄膜的2D材料生长
  11.3  基于2D材料/GaN异质结的电子器件
    11.3.1  基于MoS2/GaN异质结的带间隧道二极管
    11.3.2  具有Gr基和Al（Ga）N/GaN发射极的热电子晶体管
  11.4  基于2D材料与GaN结的光电器件
    11.4.1  具有Gr透明导电电极的GaN LED
    11.4.2  MoS2/GaN深紫外光电探测器
  11.5  Gr在GaN HEMT热管理中的应用
  11.6  总结
  致谢
  参考文献

内容大纲

作者介绍

目录

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