- 半导体干法刻蚀技术(原子层工艺)/集成电路科学与工程丛书
- - 作者：(美)索斯藤·莱尔|责编:刘星宁|译者:丁扣宝
  - 出版社：机械工业
  - ISBN：9787111734260
  - 出版日期：2023/09/01
  - 页数：225
- 售价：47.6

内容大纲
集成电路制造向几纳米节点工艺的发展，需要具有原子级保真度的刻蚀技术，原子层刻蚀（ALE）技术应运而生。本书主要内容有：热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等，探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术，涵盖了定向和各向同性ALE的最新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例，例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀，有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。
本书概念清晰，资料丰富，内容先进，可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
作者介绍
索斯藤·莱尔（Thorsten Lill），博士，美国泛林集团（Lam Research）新兴刻蚀技术和系统事业部副总裁。他在德国弗莱堡大学获得物理学博士学位，并在美国阿贡国家实验室进行博士后研究。他在该领域发表了88篇文章，拥有89项专利。
目录
译者序
缩写词表
第1章  引言
  参考文献
第2章  理论基础
  2.1  刻蚀工艺的重要性能指标
    2.1.1  刻蚀速率（ER）
    2.1.2  刻蚀速率不均匀性（ERNU）
    2.1.3  选择性
    2.1.4  轮廓
    2.1.5  关键尺寸（CD）
    2.1.6  线宽粗糙度和线边缘粗糙度（LWR和LER）
    2.1.7  边缘放置误差（EPE）
    2.1.8  深宽比相关刻蚀（ARDE）
  2.2  物理吸附和化学吸附
  2.3  解吸
  2.4  表面反应
  2.5  溅射
  2.6  注入
  2.7  扩散
  2.8  三维形貌中的输运现象
    2.8.1  中性粒子输运
    2.8.2  离子输运
    2.8.3  反应产物输运
  2.9  刻蚀技术的分类
  参考文献
第3章  热刻蚀
  3.1  热刻蚀的机理和性能指标
    3.1.1  刻蚀速率和ERNU
    3.1.2  选择性
    3.1.3  轮廓和CD控制
    3.1.4  ARDE
  3.2  应用示例
  参考文献
第4章  热各向同性ALE
  4.1  热各向同性ALE机制
    4.1.1  螯合/缩合ALE
    4.1.2  配体交换ALE
    4.1.3  转化ALE
    4.1.4  氧化/氟化ALE
  4.2  性能指标
    4.2.1  刻蚀速率（EPC）
    4.2.2  ERNU（EPC非均匀性）
    4.2.3  选择性
    4.2.4  轮廓和ARDE
    4.2.5  CD控制
    4.2.6  表面光滑度
  4.3  等离子体辅助热各向同性ALE
  4.4  应用示例
    4.4.1  区域选择性沉积

    4.4.2  横向器件的形成
  参考文献
第5章  自由基刻蚀
  5.1  自由基刻蚀机理
  5.2  性能指标
    5.2.1  刻蚀速率和ERNU
    5.2.2  选择性
    5.2.3  轮廓和ARDE
    5.2.4  CD控制
  5.3  应用示例
  参考文献
第6章  定向ALE
  6.1  定向ALE机制
    6.1.1  具有定向改性步骤的ALE
    6.1.2  具有定向去除步骤及化学吸附和扩散改性的ALE
    6.1.3  具有定向去除步骤和通过反应层沉积进行改性的ALE
  6.2  性能指标
    6.2.1  刻蚀速率（EPC）
    6.2.2  ERNU（EPC非均匀性）
    6.2.3  选择性
    6.2.4  轮廓和ARDE
    6.2.5  表面平整度和LWR/LER
  6.3  应用示例
    6.3.1  具有定向改性步骤的ALE
    6.3.2  具有定向去除步骤及化学吸附和扩散改性的ALE
    6.3.3  具有定向去除步骤和通过反应层沉积进行改性的ALE
  参考文献
第7章  反应离子刻蚀
  7.1  反应离子刻蚀机制
    7.1.1  同时发生的物种通量
    7.1.2  化学溅射
    7.1.3  混合层形成
    7.1.4  刻蚀产物的作用
  7.2  性能指标
    7.2.1  刻蚀速率
    7.2.2  ERNU
    7.2.3  ARDE
    7.2.4  选择性
    7.2.5  轮廓控制
      7.2.5.1  侧壁钝化
      7.2.5.2  刻蚀物种的选择
      7.2.5.3  温度
    7.2.6  CD控制
    7.2.7  表面光滑度
    7.2.8  LWR/LER
  7.3  应用示例
    7.3.1  图案化
      7.3.1.1  自对准图案化
      7.3.1.2  极紫外（EUV）光刻
    7.3.2  逻辑器件

      7.3.2.1  Fin刻蚀
      7.3.2.2  栅极刻蚀
      7.3.2.3  侧墙刻蚀
      7.3.2.4  接触孔刻蚀
      7.3.2.5  BEOL刻蚀
    7.3.3  DRAM和3DNAND存储器
      7.3.3.1  DRAM电容单元刻蚀
      7.3.3.2  高深宽比3DNAND刻蚀
    7.3.4  新兴存储
      7.3.4.1  相变存储器（PCM）
      7.3.4.2  ReRAM
  参考文献
第8章  离子束刻蚀
  8.1  离子束刻蚀的机理和性能指标
  8.2  应用示例
  参考文献
第9章  刻蚀物种产生
  9.1  低温等离子体概述
  9.2  电容耦合等离子体
  9.3  电感耦合等离子体
  9.4  离子能量分布调制
  9.5  等离子体脉冲
  9.6  格栅源
  参考文献
第10章  新兴刻蚀技术
  10.1  电子辅助化学刻蚀
  10.2  光子辅助化学刻蚀
  参考文献

内容大纲

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