- 半导体集成电路(第2版普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材)
- - 作者：编者:余宁梅//杨媛//郭仲杰|责编:潘斯斯
  - 出版社：科学
  - ISBN：9787030759580
  - 出版日期：2023/08/01
  - 页数：306
- 售价：27.6

内容大纲
    本书在简述半导体集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后，以“器件-工艺-电路-应用”为主线，首先介绍半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理，然后重点讨论数字集成电路中组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件，最后介绍模拟集成电路中的关键电路和数-模、模-数转换电路。
    本书以问题为导向，在每一章节开始设置了启发性问题，并以二维码方式给出了关键章节的预习教学视频。全书内容系统全面，叙述深入浅出，易于自学。配备了器件彩色三维结构图，读者可以通过扫描二维码进行查看。
    本书可作为普通高等学校电子科学与技术、微电子科学与工程和集成电路设计与集成系统等相关专业的专业课教材，也可作为相关领域研究生及工程技术人员的参考书。
作者介绍
目录
第1章  绪论
  1.1  半导体集成电路的概念
    1.1.1  半导体集成电路的基本概念
    1.1.2  半导体集成电路的分类
  1.2  半导体集成电路的发展过程
  1.3  半导体集成电路的发展规律
  1.4  半导体集成电路面临的问题
    1.4.1  深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战
    1.4.2  深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战
    1.4.3  深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战
  技术拓展：Chiplet（芯粒）
  基础习题
  高阶习题
第2章  双极集成电路中的元件形成及其寄生效应
  2.1  双极集成电路的制造工艺
    2.1.1  双极型晶体管的单管结构和工作原理
    2.1.2  双极集成晶体管的结构与制造工艺
  2.2  集成双极晶体管的有源寄生效应
  技术拓展：BCD工艺
  基础习题
  高阶习题
第3章  MOS集成电路中晶体管的形成及其寄生效应
  3.1  MOSFET晶体管的结构及制造工艺
    3.1.1  MOSFET晶体管器件结构与工作原理
    3.1.2  MOSFET晶体管的制造工艺
  3.2  CMOS集成电路的制造工艺
    3.2.1  n阱CMOS工艺
    3.2.2  p阱CMOS工艺
    3.2.3  双阱CMOS工艺
  3.3  MOS集成电路中的有源寄生效应
    3.3.1  场区寄生MOSFET
    3.3.2  寄生双极型晶体管
    3.3.3  CMOS集成电路中的闩锁效应
  3.4  深亚微米CMOS集成电路工艺
  技术拓展：绝缘体上硅技术
  基础习题
  高阶习题
第4章  集成电路中的无源元件
  4.1  集成电阻器
    4.1.1  双极集成电路中常用的电阻
    4.1.2  MOS集成电路中常用的电阻
  4.2  集成电容器
    4.2.1  双极集成电路中常用的集成电容器
    4.2.2  MOS集成电路中常用的电容器
  4.3  互连线
    4.3.1  多晶硅互连线
    4.3.2  扩散层连线
    4.3.3  金属互连线
  技术拓展：修调技术
  基础习题

  高阶习题
第5章  MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路
  5.1  MOS晶体管的电学特性
    5.1.1  MOS晶体管基本电流方程的导出
    5.1.2  MOS晶体管的I-V特性
    5.1.3  MOS晶体管的阈值电压和导电特性
    5.1.4  MOS晶体管的衬底偏压效应
    5.1.5  MOS晶体管的二级效应
    5.1.6  MOS晶体管的电容
  5.2  MOS反相器
    5.2.1  反相器的基本概念
    5.2.2  E/R型nMOS反相器
    5.2.3  E/E型nMOS反相器
    5.2.4  E/D型nMOS反相器
    5.2.5  CMOS反相器
  技术拓展：3D晶体管
  基础习题
  高阶习题
第6章  CMOS静态门电路
  6.1  基本CMOS静态门
    6.1.1  CMOS与非门
    6.1.2  CMOS或非门
  6.2  CMOS复合逻辑门
    6.2.1  异或门
    6.2.2  其他复合逻辑门
  6.3  MOS管的串并联特性
    6.3.1  晶体管串联的情况
    6.3.2  晶体管并联的情况
    6.3.3  晶体管尺寸的设计
  6.4  CMOS静态门电路的延迟
    6.4.1  延迟时间的估算方法
    6.4.2  缓冲器最优化设计
  6.5  CMOS静态门电路的功耗
    6.5.1  CMOS静态门电路功耗的组成
    6.5.2  降低电路功耗的方法
  6.6  功耗和延迟的折中
  技术拓展：门控时钟技术
  基础习题
  高阶习题
第7章  传输门逻辑和动态逻辑电路
  7.1  基本的传输门
    7.1.1  nMOS传输门
    7.1.2  pMOS传输门
    7.1.3  CMOS传输门
  7.2  传输门逻辑电路
    7.2.1  传输门逻辑电路举例
    7.2.2  传输门逻辑的特点
  7.3  基于二叉判决图BDD的传输门逻辑生成方法
  7.4  基本CMOS动态逻辑电路
    7.4.1  基本CMOS动态逻辑电路的工作原理

    7.4.2  动态逻辑电路的优缺点
  7.5  传输门隔离动态逻辑电路
    7.5.1  传输门隔离动态逻辑电路工作原理
    7.5.2  传输门隔离多级动态逻辑电路的时钟信号
    7.5.3  多米诺逻辑
  7.6  动态逻辑电路中存在的问题及解决方法
    7.6.1  电荷泄漏
    7.6.2  电荷共享
    7.6.3  时钟馈通
    7.6.4  体效应
  技术拓展：如何选择逻辑类型
  基础习题
  高阶习题
第8章  时序逻辑电路
  8.1  电荷的存储机理
    8.1.1  静态存储机理
    8.1.2  动态存储机理
  8.2  电平敏感锁存器
    8.2.1  CMOS选择器型锁存器
    8.2.2  基于传输门多选器的D锁存器
    8.2.3  动态锁存器
  8.3  边沿触发寄存器
    8.3.1  寄存器的几个重要参数
    8.3.2  CMOS静态主从结构寄存器
    8.3.3  传输门多路开关型寄存器
    8.3.4  C2MOS寄存器
  8.4  其他类型寄存器
    8.4.1  脉冲触发锁存器
    8.4.2  灵敏放大器型寄存器
    8.4.3  施密特触发器
  8.5  带复位及使能信号的D寄存器
    8.5.1  同步复位D寄存器
    8.5.2  异步复位D寄存器
    8.5.3  带使能信号的同步复位D寄存器
  8.6  寄存器的应用及时序约束
    8.6.1  计数器
    8.6.2  时序电路的时序约束
  技术拓展：异步数字系统
  基础习题
  高阶习题
第9章  MOS逻辑功能部件
  9.1  多路开关
  9.2  加法器和进位链
    9.2.1  加法器定义
    9.2.2  全加器电路设计
    9.2.3  进位链
  9.3  算术逻辑单元
    9.3.1  以传输门逻辑电路为主体的算术逻辑单元
    9.3.2  以静态逻辑门电路为主体的算术逻辑单元
  9.4  移位器

  9.5  乘法器
  技术拓展：片上系统技术
  基础习题
  高阶习题
第10章  半导体存储器
  10.1  半导体存储器概述
    10.1.1  半导体存储器的分类
    10.1.2  半导体存储器的相关性能参数
    10.1.3  半导体存储器的结构
  10.2  非挥发性只读存储器
    10.2.1  ROM的基本存储单元
    10.2.2  MOS-OR和NOR型ROM
    10.2.3  MOS-NAND型ROM
    10.2.4  预充式ROM
    10.2.5  一次性可编程ROM
  10.3  非挥发性读写存储器
    10.3.1  可擦除可编程ROM
    10.3.2  电可擦除可编程ROM
    10.3.3  FLASH存储器
  10.4  随机存取存储器
    10.4.1  SRAM
    10.4.2  DRAM
  10.5  存储器外围电路
    10.5.1  地址译码单元
    10.5.2  灵敏放大器
    10.5.3  时序和控制电路
  技术拓展：高密度存储器
  基础习题
  高阶习题
第11章  模拟集成电路基础
  11.1  模拟集成电路中的特殊元件
    11.1.1  MOS可变电容
    11.1.2  集成双极型晶体管
    11.1.3  集成MOS管
  11.2  MOS晶体管及双极晶体管的小信号模型
    11.2.1  MOS晶体管的小信号模型
    11.2.2  双极晶体管的小信号模型
  11.3  恒流源电路
    11.3.1  电流源
    11.3.2  电流基准电路
  11.4  基准电压源电路
    11.4.1  基准电压源的主要性能指标
    11.4.2  带隙基准电压源的基本原理
  11.5  单级放大器
    11.5.1  MOS集成电路中的单级放大器
    11.5.2  双极集成电路中的单级放大器
  11.6  差动放大器
    11.6.1  MOS差动放大器
    11.6.2  双极晶体管差动放大器
  技术拓展：亚阈值设计

  基础习题
  高阶习题
第12章  D/A及A/D变换器
  12.1  D/A变换器基本概念
    12.1.1  D/A变换器基本原理
    12.1.2  D/A变换器的分类
    12.1.3  D/A变换器的主要技术指标
  12.2  D/A变换器的基本类型
    12.2.1  电流定标D/A变换器
    12.2.2  电压定标D/A变换器
    12.2.3  电荷定标D/A变换器
  12.3  A/D变换器的基本概念
    12.3.1  A/D变换器基本原理
    12.3.2  A/D变换器的分类
    12.3.3  A/D变换器的主要技术指标
  12.4  A/D变换器的常用类型
    12.4.1  积分型A/D变换器
    12.4.2  逐次逼近式A/D变换器
    12.4.3  Σ-ΔA/D变换器
    12.4.4  全并行A/D变换器
    12.4.5  流水线A/D变换器
  技术拓展：A/D变换器的发展方向
  基础习题
  高阶习题
参考文献

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