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内容大纲
芯片是近年来备受关注的高科技产品，在电子、航空航天、机械、船舶、仪表等领域发挥着不可替代的作用。本书围绕芯片制造技术展开，从单晶硅晶体的拉制讲起，介绍了多种硅晶体的沉积和拉制、切割技术，着重介绍了光刻技术和光刻设备，并简要介绍了集成电路封装技术。
本书适宜对芯片技术感兴趣的读者参考。 -
作者介绍
吴元庆，男，1982年生，辽宁庄河人，满族，博士，渤海大学物理科学与技术学院副教授。2003年毕业于西安电子科技大学电子科学与技术专业获学士学位，2012年毕业于天津大学微电子学与固体电子学专业获博士学位。主要研究方向为微机电系统的设计与制造，微电子器件的设计等。主讲课程包括“微电子学概论”“微电子专业导读”“EDA技术与版图设计”“太阳能电池材料与器件”等课程。参与“863”项目1项、“973”子项目一项，天津市基金项目2项，主持教育部产学研协同育人项目6项，参与完成教育部“蓝火计划”产学研合作项目1项，主持渤海大学博士科研启动基金项目1项，在相关领域发表论文多篇，专利多项。 -
目录
第1章 集成电路简介
1.1 集成电路制造技术简介
1.2 集成电路芯片发展历程
1.3 集成电路的发展规律——摩尔定律
1.4 集成电路的分类
1.5 芯片制造工艺
1.6 芯片制造要求
1.6.1 超净环境
1.6.2 超纯材料
第2章 硅片的制备
2.1 硅材料的性质
2.2 多晶硅的制备
2.2.1 冶炼
2.2.2 提纯
2.3 单晶硅生长
2.3.1 直拉法
2.3.2 磁控直拉法
2.3.3 悬浮区熔法
2.4 切制硅片
2.4.1 切片工艺
2.4.2 硅片规格及用途
2.5 硅片的缺陷
第3章 氧化
3.1 二氧化硅的结构
3.2 二氧化硅的物理化学性质
3.3 二氧化硅在集成电路中的作用
3.4 硅的热氧化
3.4.1 热氧化的反应原理
3.4.2 常用的硅热氧化工艺
3.4.3 热氧化工艺流程
3.4.4 热氧化规律
3.4.5 其他氧化方式
第4章 扩散
4.1 杂质的扩散类型
4.1.1 替位式扩散
4.1.2 间隙式扩散
4.1.3 间隙-替位式扩散
4.2 扩散系数
4.3 扩散掺杂
4.3.1 恒定表面源扩散
4.3.2 限定表面源扩散
4.3.3 两步扩散工艺
4.4 缺陷对扩散的影响
4.4.1 氧化增强扩散
4.4.2 发射区推进效应
4.4.3 横向扩散效应
4.5 扩散方式
4.5.1 气态源扩散
4.5.2 液态源扩散
4.5.3 固态源扩散
第5章 离子注入
5.1 离子注入的特点
5.2 离子注入原理
5.2.1 离子注入的行程
5.2.2 注入离子的碰撞
5.3 注入离子在靶中的分布
5.3.1 纵向分布
5.3.2 横向效应
5.3.3 单晶靶中的沟道效应
5.3.4 离子质量的影响
5.4 注入损伤
5.5 退火
5.6 离子注入设备与工艺
5.6.1 离子注入机
5.6.2 离子注入工艺
5.7 离子注入的其他应用
5.7.1 浅结的形成
5.7.2 调整MOS晶体管的阈值电压
5.7.3 自对准金属栅结构
5.8 离子注入与热扩散比较
第6章 化学气相沉积CVD
6.1 CVD概述
6.2 CVD工艺原理
6.2.1 薄膜沉积过程
6.2.2 薄膜质量控制
6.3 CVD工艺方法
6.3.1 常压化学气相沉积
6.3.2 低压化学气相沉积
6.3.3 等离子增强化学气相沉积
6.3.4 CVD工艺方法的进展
6.4 薄膜的沉积
6.4.1 氮化硅的性质
6.4.2 多晶硅薄膜的应用
6.4.3 CVD金属及金属化合物
第7章 物理气相沉积PVD
7.1 PVD概述
7.2 真空系统及真空的获得
7.3 真空蒸镀
7.3.1 工艺原理
7.3.2 蒸镀设备
7.3.3 多组分蒸镀工艺
7.3.4 蒸镀薄膜的质量控制
7.4 溅射
7.4.1 工艺原理
7.4.2 溅射方式
7.4.3 溅射薄膜的质量及改善
7.5 金属与铜互连引线
第8章 光刻
8.1 概述
8.2 基本光刻工艺流程
8.2.1 底膜处理
8.2.2 涂胶
8.2.3 前烘
8.2.4 曝光
8.2.5 显影
8.2.6 坚膜
8.2.7 显影检验
8.2.8 去胶
8.2.9 最终检验
8.3 光刻掩模版
8.4 光刻胶
8.5 光学分辨率增强技术
8.5.1 离轴照明技术
8.5.2 移相掩模技术
8.5.3 光学邻近效应校正技术
8.6 紫外光曝光技术
8.6.1 接触式曝光
8.6.2 接近式曝光
8.6.3 投影式曝光
8.6.4 其他曝光技术
第9章 刻蚀技术
9.1 概述
9.2 湿法刻蚀
9.2.1 硅的湿法刻蚀
9.2.2 二氧化硅的湿法刻蚀
9.2.3 氮化硅的湿法刻蚀
9.2.4 铝的湿法刻蚀
9.3 干法刻蚀
9.3.1 刻蚀参数
9.3.2 典型材料的干法刻蚀
第10章 外延
10.1 概述
10.1.1 外延概念
10.1.2 外延工艺种类
10.2 气相外延工艺
10.2.1 外延原理
10.2.2 外延的影响因素
10.2.3 外延掺杂
10.2.4 外延技术
10.3 分子束外延
10.4 其他外延方法
10.4.1 液相外延
10.4.2 固相外延
10.4.3 金属有机物气相外延
10.4.4 化学束外延
第11章 集成电路工艺与封装
11.1 隔离工艺
11.2 双极型集成电路工艺
11.3 CMOS电路工艺流程
11.4 芯片封装技术
11.4.1 封装的作用和地位
11.4.2 引线连接
11.4.3 几种典型封装技术
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