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内容大纲
本书较全面地讨论了半导体物理学的基础知识。全书共11章，主要包括：半导体的品体结构与电子状态，半导体的缺陷与掺杂，热平衡时的电子和空穴分布，半导体中的载流子输运，非平衡载流子的产生、复合及运动，pn结，金属-半导体接触，金属-绝缘层-半导体结构，半导体异质结与低维结构，半导体光学性质，以及半导体的其他性质。
本书可作为普通高等学校电子科学与技术、微电子科学与工程及集成电路设计与集成系统等专业本科生的教材，也可供相关科技人员参考。 -
作者介绍
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目录
第1章 半导体的晶体结构与电子状态
1.1 半导体的晶体结构与布里渊区
1.1.1 半导体晶体结构
1.1.2 倒格子和布里渊区
1.2 半导体中的电子态
1.2.1 半导体能带的形成
1.2.2 能带中电子的速度、加速度和有效质量
1.2.3 导体、半导体和绝缘体的能带
1.2.4 半导体中的空穴
1.3 半导体能带的基本特征
1.3.1 半导体能带
1.3.2 导带结构
1.3.3 立方结构半导体的价带结构
1.3.4 回旋共振
1.4 Si和Ge的能带结构
1.4.1 Si 和Ge单晶的能带结构
1.4.2 Si1-xGex合金的结构与能带结构
1.5 Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构
1.5.1 Ⅲ-V族化合物半导体概况
1.5.2 GaAs的能带结构
1.5.3 GaP和InP的能带结构
1.5.4 氮化物半导体的能带结构
1.6 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构
1.7 多元半导体的能带结构
1.8 SiC的晶体结构与能带
1.9 Ga2O3的结构与能带
习题
第2章 半导体的缺陷与掺杂
2.1 缺陷的分类
2.1.1 缺陷类型
2.1.2 半导体中的缺陷与掺杂
2.1.3 杂质的补偿效应
2.2 Si、Ge半导体的掺杂
2.2.1 浅能级杂质电离能的计算
2.2.2 Si、Ge半导体中的主要缺陷能级
2.3 Ⅲ-V族化合物半导体中的杂质能级
2.3.1 一般Ⅲ-V族半导体的掺杂
2.3.2 GaN中的缺陷与掺杂
2.4 其他宽禁带半导体中的杂质与缺陷能级
2.4.1 SiC中的杂质能级
2.4.2 Ga2O3中的杂质能级及其他缺陷态
习题
第3章 热平衡时的电子和空穴分布
3.1 状态密度与载流子分布函数
3.1.1 状态密度
3.1.2 导带、价带载流子的分布规律
3.1.3 非简并条件下导带电子浓度和价带空穴浓度
3.1.4 载流子浓度积n0p0
3.2 本征载流子浓度
3.3 含单一杂质的半导体载流子浓度
3.3.1 杂质能级的占有概率
3.3.2 单杂质掺杂半导体的载流子浓度
3.4 补偿半导体中的载流子统计
3.4.1 补偿半导体中载流子的处理方法
3.4.2 n型补偿半导体的载流子浓度计算方法
3.4.3 p型补偿半导体的载流子浓度和费米能级
3.4.4 补偿性高阻：半绝缘半导体
3.5 简并半导体
3.5.1 简并半导体中载流子浓度的计算
3.5.2 禁带变窄效应
习题
第4章 半导体中的载流子输运
4.1 半导体的电导率与迁移率
4.1.1 半导体中载流子运动的基本特征
4.1.2 电场中载流子的运动电导率和迁移率
4.1.3 电子散射的运动气体模型
4.1.4 半导体的主要散射机制
半导体中的电流
4.2.1 外电场中的漂移电流
4.2.2 扩散电流和总电流
4.3 半导体中载流子迁移率的变化规律
……
第5章 非平衡载流子的产生、复合及运动
第6章 pn结
第7章 金属-半导体接触
第8章 金属-绝缘层-半导体结构
第9章 半导体异质结与低维结构
第10章 半导体光学性质
第11章 半导体的其他性质
参考文献
附录
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