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    • 集成电路版图设计(第3版高等院校电子信息类专业互联网+创新规划教材)
      • 作者:编者:陆学斌//董长春//韩天|责编:杜鹃
      • 出版社:北京大学
      • ISBN:9787301346044
      • 出版日期:2024/02/01
      • 页数:274
    • 售价:20
  • 内容大纲

        集成电路版图是电路设计与集成电路工艺之间必不可少的环节。本书从半导体器件的理论基础入手,在讲授集成电路制造工艺的基础上,分门别类地介绍了集成电路中常用器件电阻、电容和电感、二极管与外围器件、双极型晶体管、MOS晶体管的版图设计,还讲解了操作系统与Cadence软件、集成电路版图设计实例等内容。
        本书可作为高等院校微电子专业、集成电路设计专业的教材,也可作为集成电路设计、开发人员和版图设计爱好者的阅读和参考用书。
  • 作者介绍

  • 目录

    第1章  半导体器件理论基础
      1.1  半导体的电学特性
        1.1.1  晶格结构与能带
        1.1.2  电子与空穴
        1.1.3  半导体中的杂质
        1.1.4  半导体的导电性
      1.2  PN结
        1.2.1  PN结的结构
        1.2.2  PN结的电流电压特性
        1.2.3  PN结电容
      1.3  双极型晶体管简介
        1.3.1  双极型晶体管的结构与工作原理
        1.3.2  双极型晶体管的电流传输
        1.3.3  双极型晶体管的基本性能参数
      1.4  MOS晶体管简介
        1.4.1  MOS晶体管的结构与工作原理
        1.4.2  鳍式场效应晶体管
        1.4.3  MOS晶体管的电流电压特性
        1.4.4  MOS晶体管的电容
    第2章  集成电路制造工艺
      2.1  硅片制各
        2.1.1  单晶硅制备
        2.1.2  硅片的分类
      2.2  外延工艺
        2.2.1  概述
        2.2.2  外延工艺的分类与用途
      2.3  氧化工艺
        2.3.1  二氧化硅薄膜概述
        2.3.2  硅的热氧化
      2.4  掺杂工艺
        2.4.1  扩散
        2.4.2  离子注入
      2.5  薄膜制备工艺
        2.5.1  化学气相淀积
        2.5.2  物理气相淀积
      2.6  光刻技术
        2.6.1  光刻工艺流程
        2.6.2  光刻胶
      2.7  刻蚀工艺
      2.8  CMOS集成电路基本工艺流程
    第3章  操作系统与Cadence软件
      3.1  UNIX操作系统
        3.1.1  UNIX操作系统简介
        3.1.2  UNIX操作系统的常用操作
        3.1.3  UNIX文件系统
        3.1.4  UNIX文件系统常用工具
      3.2  Linux操作系统
      3.3  Ubuntu操作系统和CentOS
      3.4  虚拟机
      3.5  Cadence软件

        3.5.1  PDK安装
        3.5.2  电路图建立
        3.5.3  电路图仿真
        3.5.4  版图设计规则
        3.5.5  版图编辑大师
        3.5.6  版图的建立与编辑
        3.5.7  版图验证
        3.5.8  CalibrenmDRC
        3.5.9  CalibrenmLVS
        3.5.10  Calibre PEX
    第4章  电阻
      4.1  概述
      4.2  电阻率和方块电阻
      4.3  电阻的分类与版图
        4.3.1  多晶硅电阻
        4.3.2  阱电阻
        4.3.3  有源区(扩散区)电阻
        4.3.4  金属电阻
      4.4  电阻设计依据
        4.4.1  电阻变化
        4.4.2  实际电阻分析
        4.4.3  电阻设计依据
      4.5  电阻匹配规则
    第5章  电容和电感
      5.1  电容
        5.1.1  概述
        5.1.2  电容的分类
        5.1.3  电容的寄生效应
        5.1.4  电容的匹配规则
      5.2  电感
        5.2.1  概述
        5.2.2  电感的分类
        5.2.3  电感的寄生效应
        5.2.4  电感的设计准则
    第6章  二极管与外围器件
      6.1  二极管
        6.1.1  二极管的分类
        6.1.2  ESD保护
        6.1.3  二极管的匹配规则
      6.2  外围器件
        6.2.1  压焊块
        6.2.2  连线
        6.2.3  保护环
    第7章  双极型晶体管
      7.1  概述
      7.2  发射极电流集边效应
      7.3  双极型晶体管的分类与版图
        7.3.1  标准双极型工艺NPN晶体管
        7.3.2  标准双极型工艺衬底PNP晶体管
        7.3.3  标准双极型工艺横向PNP晶体管

        7.3.4  BiCMOS工艺晶体管
      7.4  双极型晶体管版图的匹配规则
        7.4.1  双极型晶体管版图的基本设计规则
        7.4.2  纵向晶体管版图的匹配规则
        7.4.3  横向晶体管版图的匹配规则
    第8章  MOS晶体管
      8.1  概述
      8.2  MOS晶体管的版图
      8.3  MOS晶体管的版图设计技巧
        8.3.1  源漏共用
        8.3.2  特殊尺寸MOS晶体管
        8.3.3  衬底连接与阱连接
        8.3.4  天线效应
      8.4  棍棒图
      8.5  MOS晶体管的匹配规则
    第9章  集成电路版图设计实例
      9.1  常用版图设计技巧
      9.2  数字版图设计实例
        9.2.1  反相器
        9.2.2  与非门和或非门
        9.2.3  传输门
        9.2.4  三态反相器
        9.2.5  多路选择器
        9.2.6  D触发器
        9.2.7  二分频器
        9.2.8  一位全加器
      9.3  版图设计前的注意事项
      9.4  版图设计中的注意事项
      9.5  静电保护电路版图设计实例
        9.5.1  输入/输出PAD静电保护
        9.5.2  限流电阻的画法
        9.5.3  电源静电保护
        9.5.4  二级ESD保护
      9.6  运算放大器版图设计实例
        9.6.1  运放组件布局
        9.6.2  输入差分对版图设计
        9.6.3  偏置电流源版图设计
        9.6.4  有源负载管版图设计
        9.6.5  运算放大器总体版图
      9.7  带隙基准源版图设计实例
        9.7.1  寄生PNP双极型晶体管版图设计
        9.7.2  对称电阻版图设计
        9.7.3  带隙基准源总体版图
      9.8  芯片总体设计
        9.8.1  噪声考虑
        9.8.2  布局
    参考文献