- 半导体器件原理/博学微电子学系列
- - 作者：编者:黄均鼐//汤庭鳌//胡光喜|责编:梁玲
  - 出版社：复旦大学
  - ISBN：9787309081442
  - 出版日期：2011/05/01
  - 页数：375
- 售价：31.6

内容大纲
本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。
本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的教材，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。
作者介绍
目录
第一章  半导体器件的物理基础
  1.1  半导体的特性
    1.1.1  晶体的结构
    1.1.2  半导体在电性能上的独特性质
  1.2  电子能级和能带
    1.2.1  电子的共有化运动
    1.2.2  晶体中的能带
  1.3  半导体中的载流子
    1.3.1  电子密度和空穴密度表达式
    1.3.2  载流子密度与费密能级位置的关系
  1.4  杂质半导体
    1.4.1  两种不同导电类型的半导体
    1.4.2  杂质半导体
  1.5  非平衡载流子
    1.5.1  非平衡载流子的产生和复合
    1.5.2  非平衡载流子的寿命
    1.5.3  复合中心
  1.6  载流子的运动
    1.6.1  载流子的漂移运动
    1.6.2  载流子的扩散运动
  参考文献
  习题
第二章  p-n结
  2.1  平衡p--n结
    2.1.1  空间电荷区和接触电位差
    2.1.2  空间电荷区的电场和电势分布
  2.2  p.n结的直流特性
    2.2.1  加偏压p-n结的能带图及载流子和电流分布
    2.2.2  p-n结的伏安特性
    2.2.3  势垒区的复合和大注入对正向伏安特性的影响
    2.2.4  势垒区的反向产生电流
  2.3  P-n结电容
    2.3.1  突变结势垒电容
    2.3.2  线性缓变结势垒电容
    2.3.3  扩散结的势垒电容
    2.3.4  p-n结的扩散电容
  2.4  p-n结击穿
    2.4.1  电击穿
    2.4.2  热击穿
  参考文献
  习题
第三章  晶体管的直流特性
  3.1  概述
    3.1.1  晶体管的基本结构
    3.1.2  晶体管的放大作用
    3.1.3  晶体管内载流子的传输及电流放大系数
    3.1.4  晶体管的输入和输出特性
  3.2  均匀基区晶体管的直流特性和电流增益
    3.2.1  均匀基区晶体管直流特性的理论分析
    3.2.2  均匀基区晶体管的短路电流放大系数

  3.3  漂移晶体管的直流特性和电流增益
    3.3.1  漂移晶体管的直流特性
    3.3.2  漂移晶体管的电流增益
  3.4  晶体管的反向电流和击穿电压
    3.4.1  晶体管的反向电流
    3.4.2  晶体管的击穿电压
  3.5  晶体管的基极电阻
    3.5.1  梳状晶体管的基极电阻
    3.5.2  圆形晶体管的基极电阻
  3.6  晶体管的小信号等效电路
  参考文献
  习题
第四章  晶体管的频率特性和功率特性
第五章  晶体管的开关特性
第六章  半导体表面特性及MOS电容
第七章  MOS场效应晶体管的基本特性
第八章  半导体功率器件
第十章  多栅MOS场效应管
第十一章  不挥发存储器基础
第十二章  金属-半导体接触和肖特基势垒器件
附录
主要符号表

内容大纲

作者介绍

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