- SiC基石墨烯及其金属改性
- - 作者：胡廷伟|责编:张琳
  - 出版社：原子能
  - ISBN：9787522120638
  - 出版日期：2024/03/01
  - 页数：282
- 售价：39.2

内容大纲
本书围绕SiC热解石墨烯及其金属改性的研究内容，重点介绍SiC热解与外延石墨烯的特征，石墨烯的大面积制备，金属原子对石墨烯的掺杂、插层等改性的机制。结合扫描隧道显微镜／谱(STM／STS)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、光电子能谱(XPS)等技术手段对石墨烯与金属的复合体系进行系统的研究。同时进行总结并提出未来研究展望。本书论述严谨，条理清晰，内容丰富新颖，是一本值得学习研究的著作。
作者介绍
目录
1  石墨烯基本特征及研究现状
  1.1  概述
  1.2  石墨烯的结构
  1.3  石墨烯的性能
  1.4  石墨烯的制备方法
  1.5  外延石墨烯的研究现状
  1.6  外延石墨烯与金属的交互作用研究现状
2  主要设备原理及方法
  2.1  概述
  2.2  超高真空(UHV)设备及原理
  2.3  分子束外延(MBE)
  2.4  扫描隧道显微镜(STM)
  2.5  反射式高能电子衍射(RHEED)
  2.6  拉曼光谱测试系统
  2.7  第一性原理计算
  2.8  实验方法介绍
3  外延石墨烯的制备与表征
  3.1  SiC多晶型介绍
  3.2  SiC表面重构
  3.3  SiC缓冲层的原子结构
  3.4  外延石墨烯的生长机理
  3.5  外延石墨烯的表征
  3.6  C面SiC外延石墨烯
  3.7  小结
4  外延石墨烯的边界特性
  4.1  外延石墨烯和SiC衬底的取向关系
  4.2  外延石墨烯的扶手椅边界
  4.3  外延石墨烯边界的不同干涉图案
  4.4  外延石墨烯边界的量子干涉机理
  4.5  小结
5  大面积外延石墨烯的制备
  5.1  常规热解法制备外延石墨烯
  5.2  快闪法制备外延石墨烯
  5.3  快闪法制备外延石墨烯的性能及机理
  5.4  小结
6  SiC缓冲层表面金属Bi原子的生长及特征
  6.1  Bi的结构与性质
  6.2  温度与时间对Bi生长形貌的影响
  6.3  √3重构与6×6重构共存时Bi的生长与表征
  6.4  小结
7  石墨烯表面金属Bi原子的生长及特征
  7.1  温度与时间对Bi生长形貌的影响
  7.2  1350℃热解外延石墨烯表面Bi的生长与表征
  7.3  1450℃热解外延石墨烯表面Bi的生长与表征
  7.4  外延石墨烯表面Bi的生长机理
  7.5  Bi／石墨烯体系的电学性质
  7.6  小结
8  石墨烯表面金属Ag原子的生长及特征
  8.1  金属Ag原子在石墨烯表面的生长
  8.2  金属Ag原子在石墨烯／SiC缓冲层共存表面的生长

  8.3  外延石墨烯的金属Ag原子掺杂结构及形貌
  8.4  外延石墨烯的金属Ag原子掺杂形成机制分析
  8.5  本章小结
9  金属Ag原子与石墨烯交互作用及机制
  9.1  外延石墨烯表面Ag的生长形貌
  9.2  Ag对外延石墨烯拉曼光谱的增强作用
  9.3  Ag对外延石墨烯电子结构的影响
  9.4  等离子体注入对石墨烯的影响
  9.5  本章小结
10  金属Pb原子的生长与插层现象
  10.1  石墨烯金属原子插层及意义
  10.2  金属Ph原子在石墨烯表面的生长
  10.3  金属Pb原子在石墨烯／SiC缓冲层共存表面的生长
  10.4  Ph原子的选择性生长
  10.5  金属Ph原子的插层制备工艺
  10.6  三种不同Pb插层区域的微观结构
  10.7  插层Pb原子结构特征
  lO.8  插层Pb原子性能分析
  10.9  Ph插层的插层机制
  10.10  本章小结
11  金属ln原子的生长与插层现象
  11.1  金属In在共存衬底上的生长
  11.2  In插层的制备工艺
  11.3  In插层区域宏观形貌及微观结构
  11.4  In插层对石墨烯形貌与性能的优化
  11.5  In插层位置及其形貌改变
  11.6  In插层的插层机制
  11.7  小结
12  金属原子的滑移与刻蚀
  12.1  金属的自滑移现象
  12.2  Bi在外延石墨烯表面的刻蚀现象
  12.3  本章小结
13  总结与展望
  13.1  总结
  13.2  研究展望
参考文献

内容大纲

作者介绍

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