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    • Empyrean模拟集成电路设计与工程/集成电路科学与工程前沿
      • 作者:胡远奇//王昭昊|责编:邓昱洲
      • 出版社:人民邮电
      • ISBN:9787115636195
      • 出版日期:2024/07/01
      • 页数:228
    • 售价:35.92
  • 内容大纲

        本书着重介绍模拟集成电路的核心特性和设计方法,理论部分简要介绍模拟集成电路涉及的公式和原理,通过仿真案例为教学打下基础,确保读者能够“知其然,知其所以然”。本书以“先模仿复现、后创新设计”的思路设置了不同难度的仿真练习,并详细介绍操作流程,使读者可以自主完成相应的仿真实验,从而掌握集成电路设计思路,逐步培养全局规划能力和工程思维方式,为后续深入学习高阶模拟集成电路课程奠定坚实的基础。
        本书适合电子信息和集成电路相关专业本科生和研究生阅读,也可为模拟集成电路技术发烧友提供有益参考。
  • 作者介绍

  • 目录

    第1章  绪论
      1.1  经典的模拟集成电路
      1.2  模拟集成电路的主要推动力
      1.3  CMOS技术与工艺
      1.4  设计技巧与工程思想
      1.5  电路仿真工具:华大九天Empyrean
    第2章  MOSFET物理特性
      2.1  MOSFET的基本伏安特性
        2.1.1  原理简介
        2.1.2  仿真实验:MOSFET的伏安特性曲线
        2.1.3  仿真实验:MOSFET的二级效应
      2.2  MOSFET的小信号模型
        2.2.1  小信号模型的理论依据
        2.2.2  仿真实验:MOSFET的小信号参数测试
      2.3  MOSFET的几种常见连接方式
        2.3.1  MOSFET的二极管连接方式
        2.3.2  MOSFET的电流源连接方式
        2.3.3  仿真实验:二极管连接型MOSFET和电流源连接型MOSFET
      2.4  课后练习
    第3章  CMOS单级放大器
      3.1  共源放大器
        3.1.1  以电阻为负载的共源放大器
        3.1.2  推挽放大器
        3.1.3  带源极负反馈的共源放大器
        3.1.4  仿真实验:共源放大器
      3.2  源跟随器
        3.2.1  源跟随器的基础理论
        3.2.2  仿真实验:源跟随器仿真
      3.3  共栅放大器
        3.3.1  共栅放大器的基础理论
        3.3.2  仿真实验:共栅放大器的仿真
      3.4  共源共栅放大器
        3.4.1  共源共栅放大器的基础理论
        3.4.2  仿真实验:共源共栅放大器的仿真
      3.5  课后练习
    第4章  CMOS差分放大器
      4.1  基本差分对
        4.1.1  基本差分对的直流分析
        4.1.2  仿真实验:基本差分对的直流特性分析
        4.1.3  半边电路法
        4.1.4  仿真实验:基本差分对的小信号特性分析
      4.2  共模响应
        4.2.1  尾电流源阻抗的影响
        4.2.2  MOSFET失配的影响
        4.2.3  仿真实验:差分放大器的共模响应
      4.3  课后练习
    第5章  电流镜与偏置电路
      5.1  电流镜的工作原理
        5.1.1  基本电流镜
        5.1.2  共源共栅电流镜

        5.1.3  仿真实验:电流镜的特性曲线
      5.2  高输出摆幅的共源共栅电流镜
        5.2.1  共源共栅电流镜摆幅分析
        5.2.2  两种高输出摆幅的共源共栅电流镜
        5.2.3  仿真实验:高输出摆幅的共源共栅电流镜
      5.3  电流镜用作有源负载
        5.3.1  有源负载的原理
        5.3.2  仿真实验:以电流镜作为负载的差分放大器
      5.4  偏置电路
        5.4.1  恒定跨导偏置电路
        5.4.2  仿真实验:恒定跨导偏置电路
      5.5  课后练习
    第6章  频率响应
      6.1  频域分析的基础理论
        6.1.1  零点和极点
        6.1.2  波特图
        6.1.3  仿真实验:二阶系统的幅频响应
      6.2  共源放大器的频率特性
        6.2.1  MOSFET电容
        6.2.2  小信号分析法
        6.2.3  近似分析
        6.2.4  特征频率
        6.2.5  仿真实验:共源放大器的频率响应
      6.3  课后练习
    第7章  MOSFET的进阶特性
      7.1  弱反型区
        7.1.1  理论分析与模型
        7.1.2  仿真实验:MOSFET的弱反型区
      7.2  速度饱和区
        7.2.1  理论分析与模型
        7.2.2  仿真实验:MOSFET的速度饱和区
      7.3  共源放大器的特征频率
        7.3.1  跨区域特征频率估算
        7.3.2  仿真实验:共源放大器的特征频率
      7.4  跨区域的工程设计方法论
        7.4.1  gm/ID方法论
        7.4.2  仿真实验:gm/ID工程设计方法
      7.5  课后练习
    第8章  反馈与稳定性
      8.1  反馈与稳定性问题
        8.1.1  开环增益、闭环增益与环路增益
        8.1.2  运算放大器的反馈
        8.1.3  运算放大器的稳定性
        8.1.4  仿真实验:相位裕度的测量
      8.2  有源负载差分对的稳定性
        8.2.1  有源负载差分对
        8.2.2  仿真实验:有源负载差分对的频率特性
      8.3  课后练习
    第9章  密勒运算放大器的系统性设计
      9.1  两级运算放大器的稳定性问题

        9.1.1  两级运算放大器的级联
        9.1.2  极点分离技术
        9.1.3  正零点补偿技术
        9.1.4  仿真实验:两级运算放大器中的密勒补偿
      9.2  密勒运算放大器的系统性设计方法
        9.2.1  运算放大器的系统性设计思路
        9.2.2  仿真实验:运算放大器系统性设计方法
      9.3  课后练习
    第10章  噪声
      10.1  晶体管的噪声
        10.1.1  热噪声
        10.1.2  闪烁噪声
        10.1.3  噪声带宽
        10.1.4  仿真实验:MOSFET噪声特性的标定
      10.2  电路系统中的噪声优化
        10.2.1  噪声的等效转换
        10.2.2  仿真实验:五管OTA的噪声优化
      10.3  课后练习
    第11章  失调与共模抑制比
      11.1  失调的来源
        11.1.1  随机性失调
        11.1.2  电路中失调因素的转换
        11.1.3  系统性失调
        11.1.4  仿真实验:五管OTA的输入等效失调电压优化
      11.2  共模抑制比
        11.2.1  随机性共模抑制比
        11.2.2  系统性共模抑制比
        11.2.3  共模抑制比的仿真测量方法
        11.2.4  仿真实验:五管OTA的共模抑制比设计与优化
      11.3  课后练习
    附录A  180nm工艺下的gm/ID仿真图