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内容大纲
全书共分为15章,系统论述微电子电路的基本知识及其应用,涵盖固态电子学与器件、模拟电路、运算放大器和反馈三部分知识体系。固态电子学与器件部分主要介绍电子学的基本原理、固态电子学基础、二极管的i-v特性及晶体管的sPICE模型等内容,给出电路设计中常用的最差情况分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法。模拟电路部分从放大器入手,详细介绍相关概念、二端口模型、反馈放大器频率响应、小信号建模、单晶体管放大器、差分放大器、反馈放大器及振荡器等。运算放大器和反馈部分着重讲解运算放大器的相关概念、非线性运算放大器和反馈放大器的稳定性、运算放大器的应用、差分放大器和运算放大器的设计、模拟集成电路设计的技术及晶体管反馈放大器与振荡器等。
书中给出大量的设计实例及练习供读者学习与实践,可以作为电子信息类、电气类专业本科生或研究生的专业教材或参考书,也可以作为从事固态电子学与器件、模拟电路设计或开发,以及与运算放大器相关的工程技术人员的参考书。 -
作者介绍
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目录
第一部分 固态电子学与器件
第1章 电子学简介
1.1 电子学发展简史:从真空管到吉规模集成电路
1.2 电信号的分类
1.2.1 数字信号
1.2.2 模拟信号
1.2.3 A/D和D/A转换器——模拟与数字信号的桥梁
1.3 符号约定
1.4 问题求解的方法
1.5 电路理论的主要概念
1.5.1 分压和分流
1.5.2 戴维南定理和诺顿定理
1.6 电信号的频谱
1.7 放大器
1.7.1 理想运算放大器
1.7.2 放大器频率响应
1.8 电路设计中元件参数的变化
1.8.1 容差的数学模型
1.8.2 最差情况分析
1.8.3 蒙特卡洛分析
1.8.4 温度系数
1.9 数值精度
小结
关键词
参考文献
补充阅读
习题
第2章 固态电子学
2.1 固态电子材料
2.2 共价键模型
2.3 半导体中的漂移电流和迁移率
2.3.1 漂移电流
2.3.2 迁移率
2.3.3 速度饱和
2.4 本征硅的电阻率
2.5 半导体中的杂质
2.5.1 硅中的施主杂质
2.5.2 硅中的受主杂质
2.6 掺杂半导体中的电子和空穴浓度
2.6.1 n型材料(ND>NA)
2.6.2 p型材料(NA>ND)
2.7 掺杂半导体中的迁移率和电阻率
2.8 扩散电流
2.9 总电流
2.10 能带模型
2.10.1 本征半导体中电子空穴对的产生
2.10.2 掺杂半导体的能带模型
2.10.3 补偿半导体
2.11 集成电路制造综述
小结
关键词
参考文献
补充阅读
习题
第3章 固态二极管和二极管电路
3.1 pn结二极管
3.1.1 pn结静电学
3.1.2 二极管内部电流
3.2 二极管的i-v特性
3.3 二极管方程:二极管的数学模型
……
第二部分 模拟电路
第三部分 运算放大器和反馈
附录
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