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内容大纲
本书基于编者在微纳制造领域的实践经验与研究成果,并结合近年来国际上的最新进展,综合介绍了微纳制造技术与半导体器件工艺。全书分为3篇,共12章,包括半导体基本原理(半导体材料、能带和PN结)、微纳制造工艺(掺杂、外延生长技术、光刻工艺、纳米压印光刻技术、刻蚀、沉积技术)、半导体器件(器件测试分析与表征技术、Ⅲ族氮化物发光二极管、SiC压阻式压力传感器、器件仿真软件)等内容,对微纳制造和器件加工中涉及的技术与工艺进行了详细的介绍。
本书内容丰富,注重理论与实践相结合,适合作为机械、微电子、光学等相关专业的教材,供本科生和研究生学习使用,也可作为半导体行业研发人员的参考书。 -
作者介绍
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目录
前言
第一篇 半导体基本原理
第1章 半导体材料
1.1 半导体材料晶体结构
1.2 单晶硅
1.3 Ⅲ族氮化物
1.4 碳化硅
1.5 晶体缺陷
习题
参考文献
第2章 能带和PN结
2.1 能带
2.2 半导体PN结
习题
参考文献
第二篇 微纳制造工艺
第3章 掺杂
3.1 扩散
3.2 离子注入
习题
参考文献
第4章 外延生长技术
4.1 晶体外延生长
4.2 氢化物气相外延(HVPE)
4.3 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)
4.4 分子束外延(MBE)
习题
参考文献
第5章 光刻工艺
5.1 光刻原理
5.2 光学曝光技术
5.3 光刻工艺流程
5.4 光刻胶特性
5.5 光刻掩模版制作
5.6 极紫外光刻技术
5.7 其他光刻技术
习题
参考文献
第6章 纳米压印光刻技术
6.1 纳米压印光刻技术简介
6.2 纳米压印模具
6.3 模具表面处理
6.4 压印光刻胶
6.5 典型纳米压印光刻工艺
习题
参考文献
第7章 刻蚀
7.1 刻蚀原理
7.2 湿法刻蚀
7.3 干法刻蚀
7.4 刻蚀技术应用
习题
参考文献
第8章 沉积技术
8.1 物理气相沉积技术
8.2 化学气相沉积技术
习题
参考文献
第三篇 半导体器件
第9章 器件测试分析与表征技术
9.1 扫描电子显微镜
9.2 透射电子显微镜
9.3 原子力显微镜
9.4 X射线光电子能谱
9.5 X射线衍射
9.6 拉曼光谱
9.7 俄歇电子能谱仪
9.8 原子探针层析技术
9.9 二次离子质谱分析
习题
参考文献
第10章 Ⅲ族氮化物发光二极管
10.1 发光二极管介绍
10.2 LED外延结构及生长工艺
10.3 LED芯片结构及制造工艺
习题
参考文献
第11章 SiC压阻式压力传感器
11.1 SiC压阻式压力传感器工作原理
11.2 SiC压阻式压力传感器设计与制造
习题
参考文献
第12章 器件仿真软件
12.1 SimuLED
12.2 Silvaco TCAD
12.3 COMSOL Multiphysics
12.4 LightTools
12.5 FDTD Solutions
习题
参考文献
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