- 半导体存储器件与电路/集成电路科学与工程丛书
- - 作者：(美)余诗孟|责编:刘星宁//闾洪庆|译者:高滨//唐建石//吴华强
  - 出版社：机械工业
  - ISBN：9787111762645
  - 出版日期：2024/09/01
  - 页数：195
- 售价：39.6

内容大纲
本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍，覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计，且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术，第2部分讨论了多种新型的存储器技术，这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级，同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。
本书可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可供半导体和微电子领域的从业人员参考。
作者介绍
余诗孟是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授，也是IEEE会士（Fellow）。余教授的研究兴趣包括用于高能效计算系统的半导体器件和集成电路。他的研究专长主要是新型非易失性存储技术及相关应用，包括在深度学习加速器、存算一体、3D集成和硬件安全等多方面的应用。他已发表了400多篇经同行评审的会议和期刊论文，并拥有超过30000次的Google Scholar引用，H因子为82。
目录
译者序
前言
致谢
作者简介
第1章  半导体存储器技术概述
  1.1  存储器层次结构介绍
    1.1.1  泽级数据爆炸
    1.1.2  存储子系统中的存储器层次结构
  1.2  半导体存储器产业
  1.3  存储阵列结构介绍
    1.3.1  通用存储阵列结构图
    1.3.2  存储单元尺寸和等效比特面积
    1.3.3  存储阵列的面积效率
    1.3.4  外围电路：译码器、多路复用器和驱动器
    1.3.5  外围电路：灵敏放大器
  1.4  工业界的技术发展趋势
    1.4.1  摩尔定律与逻辑电路微缩趋势
    1.4.2  工艺节点的定义和集成密度的测量标准
  1.5  逻辑晶体管的工艺演变
  参考文献
第2章  静态随机存取存储器（SRAM）
  2.1  6T SRAM单元操作
    2.1.1  SRAM阵列和6T单元
    2.1.2  保持、读取和写入的原理
  2.2  SRAM稳定性分析
    2.2.1  静态噪声容限
    2.2.2  N曲线
    2.2.3  动态噪声容限
    2.2.4  读与写的辅助方案
  2.3  SRAM的漏电流
    2.3.1  晶体管的亚阈值电流
    2.3.2  降低SRAM的漏电流
  2.4  涨落和可靠性
    2.4.1  晶体管本征参数波动及其对SRAM稳定性的影响
    2.4.2  时变可靠性问题及其对SRAM稳定性的影响
    2.4.3  辐射效应造成的软错误
  2.5  SRAM版图和微缩趋势
    2.5.1  6T单元版图
    2.5.2  SRAM微缩趋势
  2.6  基于FinFET的SRAM
    2.6.1  FinFET技术
    2.6.2  FinFET时代SRAM的微缩
  参考文献
第3章  动态随机存取存储器（DRAM）
  3.1  DRAM概述
    3.1.1  DRAM子系统层次结构
    3.1.2  DRAM I/O接口
  3.2  1T1C DRAM单元操作
    3.2.1  1T1C单元的工作原理
    3.2.2  电荷共享和感应

    3.2.3  DRAM的漏电流与刷新
  3.3  DRAM工艺
    3.3.1  沟槽电容和堆叠电容
    3.3.2  DRAM阵列结构
    3.3.3  DRAM版图
  3.4  DRAM微缩趋势
    3.4.1  微缩挑战
    3.4.2  单元电容
    3.4.3  互连线
    3.4.4  单元选通晶体管
  3.5  3D堆叠DRAM
    3.5.1  TSV技术与异构集成
    3.5.2  高带宽存储器（HBM）
  3.6  嵌入式DRAM
    3.6.1  1T1C嵌入式DRAM
    3.6.2  无电容嵌入式DRAM
  参考文献
第4章  闪存（Flash）
  4.1  Flash概述
    4.1.1  Flash的历史
    4.1.2  Flash的应用场景
  4.2  Flash的器件原理
    4.2.1  浮栅晶体管的工作原理
    4.2.2  浮栅晶体管的电容模型
    4.2.3  浮栅晶体管的擦写机制
    4.2.4  嵌入式Flash的源端注入
  4.3  Flash的阵列结构
    4.3.1  NOR阵列
    4.3.2  NAND阵列
    4.3.3  Flash阵列的外围高压电路
    4.3.4  NAND Flash的编译器
    4.3.5  NOR和NAND的对比
  4.4  多比特Flash单元
    4.4.1  多比特Flash单元的基本原理
    4.4.2  增量步进脉冲编程（ISPP）
  4.5  Flash的可靠性
    4.5.1  Flash的擦写寿命
    4.5.2  Flash的保持特性
    4.5.3  Flash的单元干扰
    4.5.4  可靠性问题之间的折中
  4.6  Flash微缩的挑战
    4.6.1  单元间串扰
    4.6.2  电子数量减少问题
  4.7  3D NAND Flash
    4.7.1  电荷俘获型晶体管的工作原理
    4.7.2  低成本的3D集成方法
    4.7.3  3D NAND制造中的问题
    4.7.4  第一代3D NAND芯片
    4.7.5  3D NAND的最新发展趋势
  参考文献

第5章  新型非易失性存储器
  5.1  新型非易失性存储器概述
    5.1.1  新型非易失性存储器总览
    5.1.2  1T1R阵列
    5.1.3  交叉阵列和选通器
  5.2  相变存储器（PCM）
    5.2.1  PCM器件机理
    5.2.2  PCM的可靠性
    5.2.3  PCM阵列集成
    5.2.4  3D X-point
  5.3  阻变随机存取存储器（RRAM）
    5.3.1  RRAM器件机理
    5.3.2  RRAM的可靠性
    5.3.3  RRAM阵列集成
  5.4  磁性随机存取存储器（MRAM）
    5.4.1  MTJ器件机理
    5.4.2  场转变MRAM
    5.4.3  STT-MRAM
    5.4.4  SOT-MRAM
  5.5  铁电存储器
    5.5.1  铁电器件机理
    5.5.2  1T1C FeRAM
    5.5.3  FeFET
  5.6  存算一体（CIM）
    5.6.1  CIM原理
    5.6.2  突触器件属性
    5.6.3  CIM原型芯片
  参考文献
附录  名词对照表

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作者介绍

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