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内容大纲
作为一本可控核聚变产业的专利分析报告，本书首先梳理了国内外可控核聚变技术的整体概况，确定关键技术；其次充分结合有关数据，从专利申请趋势、技术来源地和目标市场、专利布局、技术路线等方面入手，对关键技术专利开展专项分析；最后对重点申请人的专利进行回顾性与前瞻性研究，并给出结论与建议。本书是了解可控核聚变技术发展现状并预测未来走向，帮助我国创新主体优化资源配置、做好专利预警的工具书。 -
作者介绍
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目录
第1章 研究概述
1.1 研究背景
1.1.1 研究意义
1.1.2 技术现状
1.1.3 技术进展
1.1.4 产业发展
1.2 研究内容
1.2.1 研究对象
1.2.2 技术分解
1.3 研究方法
1.3.1 检索策略
1.3.2 检索结果
1.3.3 相关解释和说明
第2章 研究特色
2.1 产业与技术特点
2.1.1 产业特点
2.1.2 技术特点
2.2 基于报告特点的特色分析和研究方法
2.2.1 构建与技术发展阶段相适应的研究方法
2.2.2 将专利分析重点与技术发展阶段相匹配
2.2.3 依据各技术发展阶段特点构建研究框架
2.2.4 通过专利数据量化分析产业化迁移潜力
第3章 可控核聚变技术整体状况分析
3.1 全球专利申请总体态势分析
3.1.1 全球申请趋势分析
3.1.2 全球技术生命周期
3.1.3 全球区域分布分析
3.1.4 全球主要专利申请人分析
3.1.5 全球重点技术分支专利申请统计分析
3.2 中国专利申请总体态势分析
3.2.1 中国专利申请趋势分析
3.2.2 中国专利申请区域分布分析
3.2.3 中国专利申请技术创新聚集区
3.2.4 中国主要专利申请人分析
3.2.5 中国专利申请重点技术分支分析
第4章 磁约束核聚变技术专利分析
4.1 托卡马克技术专利分析
4.1.1 技术概况
4.1.2 磁体技术重点创新趋势
4.1.3 偏滤器技术重点创新趋势
4.1.4 包层模块技术重点创新趋势
4.2 仿星器技术专利分析
4.2.1 技术概况
4.2.2 全球专利申请总体趋势
4.2.3 中国专利申请总体趋势
4.3 其他磁约束核聚变技术专利分析
4.3.1 技术概况
4.3.2 全球专利申请总体趋势
4.3.3 中国专利申请总体趋势
第5章 惯性约束核聚变技术专利分析
5.1 整体技术重点创新趋势
5.1.1 技术概况
5.1.2 全球专利申请总体趋势
5.1.3 技术生命周期
5.1.4 全球主要技术来源地和目标市场
5.1.5 全球主要申请人
5.1.6 全球专利申请技术主题分析
5.1.7 中国专利申请总体趋势
5.1.8 中国专利申请人来源地分布
5.1.9 中国专利主要申请人分析
5.1.10 中国专利申请类型和法律状态分析
5.1.11 技术发展路线
5.1.12 专利申请分析小结
5.2 靶技术重点创新趋势
5.2.1 技术概况
5.2.2 全球专利申请总体趋势
5.2.3 技术生命周期
5.2.4 全球主要技术来源地和目标市场
5.2.5 全球主要申请人
5.2.6 全球专利申请技术主题分析
5.2.7 中国专利申请总体趋势
5.2.8 中国专利申请人来源地分布
5.2.9 中国专利主要申请人分析
5.2.10 中国专利申请类型和法律状态分析
5.2.11 技术发展路线
5.2.12 专利申请分析小结
5.3 驱动器技术重点创新趋势
5.3.1 总体技术专利分析
5.3.2 重点创新趋势
5.4 诊断技术专利分析
5.4.1 技术概况
5.4.2 全球专利总体趋势
5.4.3 中国专利总体趋势
第6章 可控核聚变技术重点申请人专利分析
6.1 美国重点申请人分析
6.1.1 利弗莫尔实验室
6.1.2 美国能源部
6.2 日本重点申请人分析
6.2.1 日立株式会社
6.2.2 东芝株式会社
6.2.3 日本原子能所
6.2.4 三菱株式会社
6.3 欧洲重点申请人分析
6.3.1 托卡马克能源公司
6.3.2 法国原子能委员会
6.4 中国重点申请人分析
6.4.1 中国科学院合肥物质院
6.4.2 西物院
6.4.3 中物院激光聚变中心
6.4.4 新奥科技公司
6.5 国外来华重点专利申请风险分析
6.5.1 托卡马克技术国外来华重点专利申请风险分析
6.5.2 惯性约束核聚变技术国外来华重点专利申请风险分析
6.5.3 可控核聚变技术国外来华重点专利申请风险分析小结
第7章 主要结论与建议
7.1 主要结论
7.1.1 总体发展趋势的分析
7.1.2 磁约束核聚变技术专利申请分析结论
7.1.3 惯性约束核聚变技术专利申请分析结论
7.1.4 国内创新主体的优势技术和专利布局现状
7.1.5 国外创新主体的优势技术和专利布局现状
7.1.6 对国外来华专利的“卡脖子”风险研判
7.2 主要建议
7.2.1 政府层面
7.2.2 创新主体层面
7.2.3 具体技术层面
附录 申请人名称约定表
图索引
表索引
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