- 图解入门(半导体工程学精讲)/集成电路科学与技术丛书
- - 作者：(日)原明人|责编:杨源|译者:李哲洋//于乐//魏晓光//母春航
  - 出版社：机械工业
  - ISBN：9787111767398
  - 出版日期：2025/01/01
  - 页数：308
- 售价：43.6

内容大纲
本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应，逐步揭示量子世界的奥秘。接着，通过能带理论和半导体能带结构的解析，阐明了半导体材料的电子行为。此外，还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后，探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富，结构清晰，能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。
本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。
作者介绍
原明人，博士（理学），1983年毕业于东京理科大学理学部第1部应用物理学科，1985年在日本东北大学理学研究科物理专业修完了博士课程前期，1985年在私营企业从事半导体晶体工程和半导体器件的研究与开发工作，1996年取得日本东北大学理学研究科（论文）博士学位，2008年任教于东北学院大学工学部电子工学科（教授），现任教于东北学院大学工学部电气电子工学科（教授）。著作（均为共同撰写）《超LSI技术17：器件与工艺第7篇》（半导体研究第38卷：工业调查会，西泽润一编，1993年），第9章CZ-Si晶体中轻元素杂质的行为；《超LSI技术20：器件与工艺第10篇》（半导体研究第42卷：工业调查会，西泽润一编，1996年），第9章硅中的重金属捕捉等共8本。
目录
前言
第1章  量子力学基础
  1-1  波的表示方式
  1-2  相速度与群速度
  1-3  电子的物质波性质
  1-4  不确定性原理
  1-5  薛定谔方程式与波函数
  1-6  一维方势阱
  1-7  自旋与泡利不相容原理
  1-8  三维方势阱
  1-9  量子隧穿效应
  1-10  定态微扰理论
  1-11  含时微扰理论
  章末问题
第2章  从氢原子到物质
  2-1  氢原子
  2-2  氢分子
  2-3  由s轨道或p轨道组成的物质
  章末问题
第3章  能带理论
  3-1  晶体的周期性和晶体结构
  3-2  金属自由电子理论
  3-3  布洛赫定理
  3-4  一维空格子的电子结构
  3-5  一维晶格的带隙
  3-6  二维和三维晶格的带隙
  3-7  一维强关联近似
  3-8  二维强关联近似
  章末问题
第4章  半导体的能带结构
  4-1  强关联近似下的能带结构
  4-2  k·p微扰（1）：带边的详细结构
  4-3  k·p微扰（2）：基于面心立方结构空格子的计算
  4-4  有效质量与运动方程
  4-5  空穴
  4-6  本征半导体载流子浓度与温度的关系
  章末问题
第5章  掺杂半导体
  5-1  施主与受主
  5-2  浅能级杂质中心的有效质量近似
  5-3  被施主杂质束缚的电子的空间分布
  5-4  掺杂半导体中载流子浓度与温度的关系
  章末问题
第6章  晶格振动
  6-1  什么是晶格振动
  6-2  一维单原子晶格
  6-3  一维双原子晶格
  6-4  三维晶格振动
  6-5  声子
  6-6  晶格比热

  章末问题
第7章  载流子输运现象
  7-1  欧姆定律
  7-2  霍尔效应
  7-3  迁移率的温度相关性
  7-4  玻尔兹曼方程
  7-5  散射过程的计算
  7-6  弛豫时间的计算
  章末问题
第8章  半导体的光学性质
  8-1  物质中的电磁波
  8-2  带间跃迁
  8-3  受施主束缚电子的光激发
第9章  pn结
  9-1  pn结的形成方法
  9-2  扩散电流
  9-3  pn结附近发生的现象
  9-4  热平衡状态下的pn结能带图
  9-5  连续性方程
  9-6  正向电流
  9-7  反向电流
  9-8  结电容
  9-9  pn结中的隧穿效应
  章末问题
第10章  MOS结构
  10-1  MOS结构概述
  10-2  积累层、耗尽层和反型层中的电场分布及势能分布
  10-3  Si表面的电子
  10-4  理想MOS的电容
  10-5  非理想MOS的情况
  章末问题
第11章  MOS场效应晶体管
  11-1  MOS场效应晶体管的结构
  11-2  MOS场效应晶体管的工作原理（1）：线性区
  11-3  MOS场效应晶体管的工作原理（2）：一般情况下的电流-电压特性
  11-4  MOS场效应晶体管的工作原理（3）：饱和区
  11-5  迁移率
  11-6  阈值电压
  11-7  亚阈值斜率
  11-8  衬底偏压效应
  章末问题
第12章  集成电路
  12-1  CMOS反相器的结构
  12-2  CMOS反相器中p沟道型MOSFET的工作原理
  12-3  CMOS反相器中p沟道型MOSFET工作原理的
  公式推导
  12-4  CMOS反相器工作原理的公式推导
  12-5  CMOS反相器的开关特性
  12-6  等比例缩小
  章末问题

第14章  界面的量子化
  13-1  Si-MOS反型层电子的量子化
  13-2  准二维电子系统的电子状态
  13-3  Si-MOS反型层的电子状态
  13-4  磁场下的二维电子系统和边缘态
  13-5  异质结
  章末问题
章末问题的答案

内容大纲

作者介绍

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