- 氮化镓电子器件热管理/先进半导体产业关键技术丛书
- - 作者：编者:(美)马尔科·J.塔德尔//特拉维斯·J.安德森|责编:任鑫|译者:来萍//陈义强//王宏跃//何小琦//贺致远等
  - 出版社：机械工业
  - ISBN：9787111764557
  - 出版日期：2025/01/01
  - 页数：415
- 售价：67.2

内容大纲
本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓（GaN）及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN／GaNHEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN／GaNHEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术——栅电阻测温法、超晶格梯形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN／GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。
本书可作为氮化镓半导体器件研究人员、开发人员和工程技术人员的参考用书，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的参考用书。
作者介绍
目录
译者序
原书序
原书前言
第1章  宽禁带半导体器件中的热问题
  1.1  器件工作状态下的热产生
    1.1.1  功率器件的工作状态
    1.1.2  射频器件的工作状态
  1.2  热对器件特性和工作状态的影响
    1.2.1  最大工作电流密度
    1.2.2  器件特性：载流子迁移率及电流崩塌效应
    1.2.3  可靠性及鲁棒性
    1.2.4  最高工作温度和结温
  1.3  宽禁带半导体器件热管理问题
    1.3.1  高导热材料的集成
    1.3.2  器件设计
    1.3.3  封装级热管理
  1.4  小结
  致谢
  参考文献
第2章  氮化镓（GaN）及相关材料的第一性原理热输运建模
  2.1  引言
  2.2  建模机制
    2.2.1  结构
    2.2.2  声子
    2.2.3  非谐相互作用
    2.2.4  晶格热导率
    2.2.5  非本征声子散射
    2.2.6  相关声子性质
  2.3  氮化镓及其相关材料的应用
    2.3.1  氮化镓
    2.3.2  其他Ⅲ族氮化物和非氮化物纤锌矿结构
  2.4  小结
  致谢
  参考文献
第3章  多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运
  3.1  引言
  3.2  介观尺度的热传导：集合平均性质
    3.2.1  几何模型：晶粒结构对热导率的影响
    3.2.2  实验表征各向异性和与z相关的热输运
    3.2.3  关于DARPA金刚石循环计划的简要说明
  3.3  纳米尺度下的声子传输：晶界附近的热导率抑制效应
    3.3.1  声子晶界散射的微观图像
    3.3.2  晶界附近的空间分辨热导率测量
    3.3.3  声子的漫散射导致热导率的非局部降低
  3.4  结论与展望
  致谢
  参考文献
第4章  固体界面热输运基本理论
  4.1  引言
  4.2  谐波匹配界面间的热输运

  4.3  TBC的非弹性贡献
  4.4  界面键合对TBC的影响
  4.5  TBC建模方法的比较
  致谢
  参考文献
第5章  氮化镓界面热导上限的预测和测量
  5.1  引言
  5.2  GaN界面热导理论上限
  5.3  实验测量ZnO/GaN高界面热导
  5.4  稳态热反射（SSTR）作为一种新型薄膜和界面的热导率测量技术：以GaN为例
  致谢
  参考文献
第6章  AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模
  6.1  引言
  6.2  AlGaN/GaN HEMT
    6.2.12  DEG的形成
    6.2.2  AlGaN/GaN HEMT的自热效应
    6.2.3  HEMT建模方案
    6.2.4  全耦合三维电热建模方案综述
  6.32  D TCAD模型
    6.3.1  HEMT器件物理
    6.3.2  Sentaurus技术计算机辅助设计
    6.3.3  校准程序
  6.4  三维有限元热学模型
    6.4.1  器件描述
    6.4.2  模型描述
    6.4.3  电热耦合
    6.4.4  模型验证
  6.5  小结
  附录
  参考文献
第7章  氮化镓器件中热特性建模
  7.1  引言
  7.2  线性热电弹性理论
  7.3  Ⅲ族氮化物高电子迁移率晶体管的二维热模拟
  7.4  GaN HEMT的二维与三维热模拟对比
  7.5  使用CVD金刚石改善散热
  7.6  GaN HEMT的电热力学模拟
  7.7  小结
  致谢
  参考文献
第8章  AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真
  8.1  引言
  8.2  第一部分：新的或需强调的物理特性
  8.3  第二部分：老化建模
  8.4  第三部分：其他重要注意事项
    8.4.1  维度和对称性
    8.4.2  偏压依赖性
    8.4.3  正确求解问题
  8.5  第四部分：其他仿真提示与技巧

    8.5.1  合理的网格划分
    8.5.2  收敛性
  8.6  小结
  参考文献
第9章  基于电学法的热表征技术——栅电阻测温法
  9.1  引言
  9.2  稳态分析
    9.2.1  电流驱动
    9.2.2  电压驱动
    9.2.3  电阻温度系数
    9.2.4  确定热阻
  9.3  瞬态分析
    9.3.1  时域特性
    9.3.2  灵敏度分析
    9.3.3  频域
  9.4  射频工作条件
  9.5  小结
  参考文献
第10章  超晶格梯形场效应晶体管的热特性
  10.1  超晶格梯形场效应晶体管
  10.2  SLCFET 中的热输运
    10.2.1  SLCFET 上的栅极电阻热成像
    10.2.2  SLCFET上的拉曼热成像
  10.3  降低SLCFET的峰值温度
  10.4  小结
  参考文献
第11章  用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法
  11.1  引言
  11.2  方法与背后的物理学
    11.2.1  温度和热
    11.2.2  反射率热成像
  11.3  结果
    11.3.1  同步稳态采集
    11.3.2  同步瞬态采集
    11.3.3  异步瞬态采集
    11.3.4  热反射响应的非线性
  11.4  小结
  致谢
  参考文献
第12章  热匹配QST衬底技术
  12.1  引言
  12.2  QST结构
  12.3  QST热导率和QST堆的热阻
  12.4  QST上的GaN外延
  12.5  功率器件
    12.5.1  QST上的横向功率器件
    12.5.2  QST上的垂直功率器件
  12.6  射频器件
  致谢
  参考文献

第13章  用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜
  13.1  引言
  13.2  纳米金刚石化学气相沉积
    13.2.1  衬底表面预处理
    13.2.2  爆轰纳米金刚石引晶工艺
    13.2.3  纳米金刚石化学气相沉积
  13.3  纳米金刚石薄膜的应力优化
  13.4  小结
  致谢
  参考文献
第14章  金刚石基氮化镓材料及器件技术综述
  14.1  引言
  14.2  为什么选择金刚石基氮化镓
  14.3  制备金刚石基GaN的方法
    14.3.1  金刚石基GaN的所有制备方法
    14.3.2  金刚石基GaN单晶的直接生长
    14.3.3  GaN与金刚石键合
    14.3.4  在GaN背面直接合成金刚石：直接金刚石合成（DDF）技术
    14.3.5  在GaN正面直接合成金刚石
  14.4  可制造性
  14.5  热特性和应力特性
  14.6  电气和机械特性
  14.7  小结
  参考文献
第15章  金刚石与氮化镓的三维集成
  15.1  引言
  15.2  AlGaN HEMT器件的自热效应及其热限制
  15.3  在多晶CVD金刚石上生长Ⅲ族氮化物的挑战
  15.4  在GaN上直接生长金刚石面临的挑战
  15.5  GaN-金刚石直接集成
    15.5.1  金刚石的选择性沉积
    15.5.2  GaN横向外延生长（ELO）
    15.5.3  金刚石条纹上GaN的ELO
  15.6  小结
  致谢
  参考文献
第16章  基于室温键合形成的高导热半导体界面
  16.1  引言
  16.2  热测试技术
  16.3  GaN块体材料和薄膜的热导率
  16.4  GaN-SiC和GaN-金刚石界面TBC的综述
  16.5  表面活化键合技术
  16.6  键合界面处的热导
  致谢
  参考文献
第17章  AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术
  17.1  引言
  17.2  GaN在金刚石衬底表面的制备技术
  17.3  基于水解辅助固化的低温键合技术
  17.4  键合层的热阻

  17.5  金刚石衬底器件的3GHz射频性能
  17.6  小结
  参考文献
第18章  氮化镓电子器件的微流体冷却技术
  18.1  引言
  18.2  微流体冷却基本原理
    18.2.1  对流传热：微流体冷却案例
    18.2.2  流量、压降和热容量：优化冷却效率
    18.2.3  传导和热扩散阻力：高导热材料在微流体冷却中的影响
    18.2.4  微流体热沉热阻
  18.3  微流体冷却中的集成水平
    18.3.1  间接微流体冷却
    18.3.2  直接微流体冷却
    18.3.3  微流体冷却与电子学的协同设计
    18.3.4  不同方法的概述和总结
  18.4  小结
  参考文献
第19章  氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用
  19.1  引言
  19.2  Ga2O3的热研究现状综述
  19.3  垂直几何整流器
    19.3.1  实验研究
    19.3.2  模拟研究
    19.3.3  高功率下的退化
  19.4  MOSFET的热管理方法
  19.5  Ga2O3器件冷却的未来前景
  致谢
  参考文献

内容大纲

作者介绍

目录

同类热销排行榜

推荐书目