- 微电子器件(第5版高等学校电子信息类精品教材教育部战略性新兴领域十四五高等教育教材体系新一代信息技术集成电路系列教材)
- - 作者：编者:陈勇//黄海猛//程骏骥|责编:韩同平
  - 出版社：电子工业
  - ISBN：9787121500800
  - 出版日期：2025/04/01
  - 页数：355
- 售价：35.96

内容大纲
    本书为普通高等教育“十一五”“十二五”国家级规划教材。
    本书首先介绍半导体物理基础及器件基本方程。在此基础上，全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）的基本结构、基本原理、工作特性、SPICE模型，以及一些典型的器件应用。本书还介绍了金半接触二极管，以及主要包括HEMT和HBT在内的异质结器件。书中提供大量习题，便于读者巩固和加深对所学知识的理解。
    本书适合作为高等学校电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程等专业相关课程的教材，也可供其他相关专业的本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。
作者介绍
目录
第1章  半导体物理基础及器件基本方程
  1.1  半导体晶格
    1.1.1  基本的晶体结构
    1.1.2  晶向和晶面
    1.1.3  原子价键
  1.2  半导体中的电子状态
    1.2.1  原子的能级和晶体的能带
    1.2.2  半导体中电子的状态和能带
    1.2.3  半导体中电子的运动和有效质量
    1.2.4  导体、半导体和绝缘体
  1.3  平衡状态下载流子浓度
    1.3.1  费米能级和载流子的统计分布
    1.3.2  本征载流子浓度
    1.3.3  杂质半导体的载流子浓度
    1.3.4  简并半导体的载流子浓度
  1.4  非平衡载流子
    1.4.1  非平衡载流子的注入与复合过程
    1.4.2  非平衡载流子的寿命
    1.4.3  复合理论
  1.5  载流子的输运现象
    1.5.1  载流子的漂移运动及迁移率
    1.5.2  载流子的扩散运动
    1.5.3  爱因斯坦关系
  1.6  半导体器件基本方程
    1.6.1  泊松方程
    1.6.2  输运方程
    1.6.3  连续性方程
    1.6.4  方程的积分形式
    1.6.5  基本方程的简化与应用举例
  1.7  半导体器件的计算机模拟
    1.7.1  器件模拟内容和意义
    1.7.2  器件模拟的方法
  1.8  半导体器件发展历程与启示
  本章参考文献
第2章  PN结
  2.1  PN结的平衡状态
    2.1.1  空间电荷区的形成
    2.1.2  内建电场、内建电势与耗尽区宽度
    2.1.3  能带图
    2.1.4  线性缓变结
    2.1.5  耗尽近似和中性近似的适用性
  2.2  PN结的直流电流电压方程
    2.2.1  外加电压时载流子的运动情况
    2.2.2  势垒区两旁载流子浓度的玻尔兹曼分布
    2.2.3  扩散电流
    2.2.4  势垒区产生复合电流
    2.2.5  正向导通电压
    2.2.6  电流电压的温度特性
    2.2.7  薄基区二极管
  2.3  准费米能级与大注入效应

    2.3.1  自由能与费米能级
    2.3.2  准费米能级
    2.3.3  大注入效应
  2.4  PN结的击穿
    2.4.1  碰撞电离率和雪崩倍增因子
    2.4.2  雪崩击穿
    2.4.3  齐纳击穿
    2.4.4  热击穿
  2.5  PN结的势垒电容与变容二极管
    2.5.1  势垒电容的定义
    2.5.2  突变结的势垒电容
    2.5.3  线性缓变结的势垒电容
    2.5.4  实际扩散结的势垒电容
    2.5.5  变容二极管
  2.6  PN结的交流小信号特性与扩散电容
  ……
第3章  双极结型晶体管
第4章  绝缘栅型场效应晶体管
第5章  半导体异质结器件
附录A  隧穿概率的WKB近似求解

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