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内容大纲
本书针对后摩尔时代集成电路产业日益严重的功耗问题,简要介绍芯片功耗、工作电压和场效应晶体管亚阈值特性的关系,并通过解析铁电负电容场效应晶体管陡峭亚阈值特性工作机理,阐明铁电负电容场效应晶体管技术对于突破后摩尔时代功耗瓶颈的关键作用。为明确铁电负电容场效应晶体管领域的发展现状,本书讲述该领域各个方面的代表性研究成果,一方面阐述已经取得的成果,另一方面希望通过剖析亟待解决的关键技术问题,指明未来发展方向。
本书主要内容包括氧化铪基铁电材料,铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程、基本电学特性、电容匹配原则、负微分电阻(NDR)效应以及频率响应特性等。此外,本书还详细阐述了铁电负电容效应存在性研究及其本质探索的相关内容。
本书是一本理论与实践并重的专业技术图书,可供从事新型低功耗器件研究及铁电负电容场效应晶体管研究的科研工作者和相关专业的高校研究生阅读参考。 -
作者介绍
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目录
第1章 绪论
1.1 后摩尔时代的低功耗应用需求
1.2 后摩尔时代的新型低功耗场效应晶体管
1.2.1 隧穿场效应晶体管
1.2.2 自旋场效应晶体管
1.2.3 狄拉克源场效应晶体管
1.2.4 铁电负电容场效应晶体管
1.3 本章小结
参考文献
第2章 氧化铪基铁电材料
2.1 铁电材料概述
2.1.1 铁电材料定义
2.1.2 铁电材料的发展与需求
2.2 氧化铪基铁电材料的研究进展
2.2.1 晶体结构
2.2.2 掺杂工程
2.2.3 工艺探索
2.3 新型氧化铪基铁电材料的应用
2.3.1 高介电响应“多态相边界”绝缘材料
2.3.2 非易失性可重构铁电掺杂技术
2.4 本章小结
参考文献
第3章 铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程
3.1 负电容效应
3.1.1 负电容效应定义
3.1.2 负电容效应原理
3.1.3 负电容效应的稳定性
3.2 铁电负电容场效应晶体管陡峭亚阈值特性
3.2.1 亚阈值摆幅
3.2.2 陡峭亚阈值特性
3.3 铁电负电容场效应晶体管发展历程
3.3.1 基本电学特性
3.3.2 电容匹配原则
3.3.3 NDR效应
3.3.4 频率响应特性
3.3.5 负电容效应存在性及本质
3.4 本章小结
参考文献
第4章 铁电负电容场效应晶体管的基本电学特性
4.1 铁电负电容场效应晶体管制备工艺
4.2 铁电负电容场效应晶体管性能表征
4.2.1 铁电材料的铁电性表征
4.2.2 锗沟道铁电负电容场效应晶体管电学性能表征
4.2.3 锗锡沟道铁电负电容场效应晶体管电学性能表征
4.3 本章小结
参考文献
等5章 铁电负电容场效应晶体管的电容匹配原则
5.1 电容匹配原则影响因素分析
5.2 电容匹配原则调控手段论证
5.2.1 TAnnealing对NCFET电学性能的影响
5.2.2 AFE AMOS对NCFET电学性能的影响
5.2.3 tFE对NCFET电学性能的影响
5.2.4 VG,range对NCFET电学性能的影响
5.3 电容匹配原则微观机理解析
5.4 本章小结
参考文献
第6章 铁电负电容场效应晶体管的NDR效应
6.1 NDR效应产生机理
6.2 NDR效应调控机制
6.2.1 理论研究
6.2.2 实验研究
6.3 NDR效应相关应用
6.3.1 短沟道效应抑制
6.3.2 高增益跨导放大器
6.4 本章小结
参考文献
第7章 铁电负电容场效应晶体管的频率响应特性
7.1 铁电材料本征延时
7.1.1 铁电电容-电阻延时评估系统
7.1.2 亚纳秒铁电电容快速测试系统
7.2 铁电负电容器件频率响应特性
7.2.1 材料选取原则
7.2.2 结构设计原则
7.2.3 电路应用频率响应特性
7.3 本章小结
参考文献
第8章 铁电负电容效应机理研究
8.1 铁电负电容效应存在性研究
8.2 铁电负电容效应本质探索
8.3 本章小结
参考文献
第9章 总结与展望
9.1 总结
9.1.1 铁电负电容器件优化
9.1.2 新型沟道材料负电容器件
9.1.3 新型负电容器件应用
9.2 展望
参考文献
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