- 微纳集成电路工艺技术(高等学校微电子与集成电路研究生系列教材)
- - 作者：编者:戴显英|责编:张存//刘玉芳
  - 出版社：西安电子科大
  - ISBN：9787560677774
  - 出版日期：2025/09/01
  - 页数：216
- 售价：14.4

内容大纲
    本书共10章。第1章介绍集成电路工艺的器件与工艺仿真基础，第2章至第7章介绍集成电路制造的薄膜制备、离子注入、光刻、刻蚀、金属化、化学机械平坦化等基本工艺，第8章介绍阱工艺、浅槽隔离工艺、栅极工艺、源漏工艺、自对准金属硅化物工艺、接触孔与通孔工艺和金属互连工艺等集成电路制造的工艺集成技术，第9章至第10章介绍先进封装工艺技术、品质认证及智慧制造系统等集成电路制造后段工艺。
    本书结合了集成电路制造工程实践中遇到的实际问题及其解决方案，可帮助读者深入理解和掌握集成电路工艺实现的各个环节。
    本书既可作为微电子学与固体电子学、集成电路系统设计、集成电路工程等学科研究生的教材，也可作为微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统专业高年级本科生和电子信息专业研究生的教学参考书。
作者介绍
目录
第1章  集成电路工艺的器件与工艺仿真基础
  1.1  MOSFET器件
    1.1.1  MOSFET器件的结构
    1.1.2  MOSFET器件的工作原理
  1.2  半导体芯片技术概述
    1.2.1  功率芯片
    1.2.2  逻辑芯片
    1.2.3  存储芯片
  1.3  集成电路设计与制造的“桥梁”技术基础
    1.3.1  工艺设计套件（PDK）技术
    1.3.2  光刻版技术
    1.3.3  计算光刻技术
  1.4  集成电路工艺仿真软件
    1.4.1  集成电路工艺仿真软件简介
    1.4.2  集成电路工艺仿真软件工具
    1.4.3  集成电路仿真软件的挑战和机会
  本章小结
  习题
第2章  薄膜制备工艺技术
  2.1  氧化工艺
    2.1.1  氧化工艺原理
    2.1.2  氧化工艺应用
    2.1.3  氧化工艺仿真
    2.1.4  氧化工艺进展
  2.2  物理气相淀积（PVD）工艺
    2.2.1  PVD工艺原理
    2.2.2  PVD工艺应用
    2.2.3  PVD工艺进展
  2.3  化学气相淀积（CVD）工艺
    2.3.1  CVD工艺原理
    2.3.2  CVD工艺应用
    2.3.3  CVD工艺仿真
    2.3.4  CVD工艺进展
  2.4  外延工艺
    2.4.1  外延工艺原理
    2.4.2  外延工艺应用
    2.4.3  外延工艺仿真
    2.4.4  外延工艺进展
  本章小结
  习题
第3章  离子注入工艺技术
  3.1  离子注入技术概述
    3.1.1  离子注入技术的特点
    3.1.2  离子注入设备
    3.1.3  离子注入机理
    3.1.4  离子注入分布
    3.1.5  离子注入沟道效应
  3.2  离子注入工艺应用
    3.2.1  阱注入
    3.2.2  阈值电压调整注入

    3.2.3  轻掺杂源漏（LDD）注入
  3.3  先进的离子注入技术
    3.3.1  超浅结离子注入
    3.3.2  低能离子注入
    3.3.3  中性束流注入
  3.4  离子注入工艺仿真
    3.4.1  离子注入工艺参数
    3.4.2  离子注入工艺仿真设置
    3.4.3  离子注入工艺仿真结果分析
  3.5  离子注入损伤与退火
    3.5.1  离子注入损伤
    3.5.2  离子注入退火
  本章小结
  习题
第4章  光刻工艺技术
第5章  刻蚀工艺技术
第6章  金属化工艺技术
第7章  化学机械平坦化工艺技术
第8章  先进的工艺集成技术
第9章  先进的封装工艺技术
第10章  晶圆厂的品质认证及智慧制造系统
参考文献

内容大纲

作者介绍

目录

同类热销排行榜

推荐书目