- CMOS模拟集成电路(第2版)/集成电路科学与技术丛书
- - 作者：编者:王永生|责编:盛东亮//曾珊
  - 出版社：清华大学
  - ISBN：9787302711773
  - 出版日期：2026/05/01
  - 页数：380
- 售价：31.6

内容大纲
本书阐述CMOS模拟集成电路分析与设计的相关知识：主要介绍CMOS模拟集成电路设计的背景、MOSFET器件物理及建模等相关知识；分析电流源、电流镜和基准源，以及共源极、共漏极、共栅极和共源共栅极等基本放大器结构、原理、分析与设计技术；同时分析电路的频率、噪声等特性，并进一步讨论运算放大器、反馈结构及其稳定性和频率补偿；然后讨论开关电容电路、比较器，进而介绍数模转换器和模数转换器的基本结构和工作原理；最后讨论与CMOS模拟集成电路相关的版图设计技术。
本书可作为高等院校电子信息类本科生和研究生教材，也可作为相关领域工程师的参考用书。
作者介绍
王永生，1974年7月出生，毕业于哈尔滨工业大学，获得微电子学与固体电子学博士学位，现任哈尔滨工业大学航天学院副教授。长期从事数/模混合信号集成电路、系统芯片及其可测试性、可靠性设计的教学及科研工作。先后主持和参与了10余项国家级与省部级科研项目；开发了多款高速及高精度模/数转换器芯片，以及混合信号SoC芯片。申请并获得授权发明专利10余项。在模/数转换器设计、混合信号SoC设计等领域发表学术论文50余篇。
目录
第1章  绪论
  1.1  模拟电路与数字电路
  1.2  电路抽象层次
  1.3  模拟集成电路设计
  1.4  符号标记法
  1.5  本章小结
第2章  MOSFET器件及模型
  2.1  引言
  2.2  MOSFET器件结构
    2.2.1  MOSFET器件
    2.2.2  CMOS
  2.3  MOSFET器件I/V特性
    2.3.1  工作区
    2.3.2  输出特性和转移特性
    2.3.3  沟道长度调制效应
    2.3.4  体效应
    2.3.5  亚阈值导通效应
  2.4  MOSFET器件模型
    2.4.1  MOSFET器件的大信号模型
    2.4.2  MOSFET器件的小信号模型
    2.4.3  MOSFET器件的噪声模型
    2.4.4  MOSFET器件的SPICE模型
  2.5  MOSFET电路的SPICE仿真
    2.5.1  SPICE仿真基本描述
    2.5.2  SPICE中的基本仿真
  2.6  本章小结
  习题
第3章  CMOS电流源与电流镜
  3.1  引言
  3.2  MOSFET电流源
    3.2.1  简单电流源
    3.2.2  共源共栅电流源
  3.3  MOS电流镜
    3.3.1  基本电流镜
    3.3.2  共源共栅电流镜
    3.3.3  大摆幅的共源共栅电流镜
    3.3.4  威尔逊电流镜
  3.4  本章小结
  习题
第4章  基准源
  4.1  引言
  4.2  电压基准源
    4.2.1  分压型电压基准源
    4.2.2  有源电压基准源
    4.2.3  带隙基准源
  4.3  电流基准源
    4.3.1  基于电流镜的简单基准源
    4.3.2  与电源无关的电流基准源
    4.3.3  PTAT电流基准源
  4.4  本章小结

  习题
第5章  CMOS单级放大器
  5.1  引言
  5.2  放大器基本分析方法
    5.2.1  电压增益
    5.2.2  放大器的非线性
  5.3  共源极放大器
    5.3.1  采用电阻负载的共源极放大器
    5.3.2  二极管连接MOS晶体管负载的共源极放大器
    5.3.3  采用电流源负载的共源极放大器
    5.3.4  CMOS推挽放大器
  5.4  共漏极放大器
  5.5  共栅极放大器
……
第6章  CMOS差分放大器
第7章  CMOS放大器的频率响应
第8章  噪声
第9章  反馈
第10章  CMOS运算放大器
第11章  稳定性与频率补偿
第12章  比较器
第13章  开关电容电路
第14章  DAC和ADC电路概论
第15章  模拟集成电路的版图设计
参考文献

内容大纲

作者介绍

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