- 光电子芯片(基础应用及制造)/集成电路关键技术与创新应用丛书
- - 作者：编者:原荣|责编:李馨馨//周海越
  - 出版社：机械工业
  - ISBN：9787111802105
  - 出版日期：2026/04/01
  - 页数：233
- 售价：35.6

内容大纲
    本书从光电子器件（芯片）的理论基础出发，介绍了光无源和光有源器件、光探测及红外光感知、图像传感芯片，特别是在矩阵乘法运算、人工智能（AI）、光交换网络中广泛应用的马赫－曾德尔干涉（MZI）光调制器、阵列波导光栅（AWG）、微机电系统（MEMS）及高速光纤通信系统芯片及光模块；阐述了硅光技术、光电共封装（CPO）技术，以及光电子芯片在人工智能（AI）、激光雷达测距、光子相控阵（OPA）雷达、光子存储、光交换、数据中心光互联等方面的应用；还给出光电子芯片制造技术，特别是Si基异质集成Ⅲ－Ⅴ族芯片制造技术与工艺，以及芯片封装技术及演化。
    本书附有“缩写名词术语”，便于读者检索感兴趣的内容，还配有“知识扩展”“PPT课件”“关键词索引”等电子文档（获取方式见封底），为读者提供深入了解光电子芯片制造技术的途径。
    本书内容系统全面，叙述通俗易懂，图文并茂，既可供从事光电集成芯片、民用军用系统和装备的研究教学、规划设计、管理维护的人员参考，也可作为相关专业的教材。
作者介绍
目录
前言
第1章  概述和理论基础
  1.1  概述
    1.1.1  光电子芯片技术和分类
    1.1.2  光电子芯片—光电技术和光电产业核心部件
    1.1.3  国家对集成电路产业跨越式发展极为重视
    1.1.4  光电子芯片基础—光电子学
    1.1.5  光电子芯片产品的应用
  1.2  光电子芯片理论基础
    1.2.1  光的波动性和粒子性
    1.2.2  光的传播速度与介质折射率紧密相关
    1.2.3  光电子器件与光程差、相位差紧密相关
    1.2.4  能带理论—发光器件、光感知探测器基础
    1.2.5  Ⅲ-Ⅴ族材料与硅、锗材料比较—直接带隙优于间接带隙
    1.2.6  半导体对光的吸收—光探测器、激光器、光放大器基础
    1.2.7  载流子的产生、复合、扩散和漂移—光电效应、光电荷效应、光电导效应基础
第2章  光无源器件
  2.1  波分复用/解复用器
    2.1.1  反射光栅解复用器
    2.1.2  AWG复用/解复用器
  2.2  光滤波器
    2.2.1  法布里-珀罗谐振腔
    2.2.2  法布里-珀罗滤波器
    2.2.3  马赫-曾德尔干涉仪—矩阵乘法运算、人工智能、神经网络等
    2.2.4  马赫-曾德尔干涉滤波器
    2.2.5  布拉格光栅波导滤波器
  2.3  微机电系统—光交换芯片应用
    2.3.1  微机电系统简介
    2.3.2  微机电系统光开关—广泛应用于光交换芯片
  2.4  波导光隔离器
    2.4.1  钇铁石榴石波导光隔离器
    2.4.2  微环磁光波导光隔离器
  2.5  阵列波导光栅无源器件及其应用
    2.5.1  AWG星形耦合器
    2.5.2  AWG的工作原理—不同路径光终点干涉
    2.5.3  AWG用于光滤波器
    2.5.4  AWG用于多信道光接收机
    2.5.5  AWG用于宽谱光源分割
    2.5.6  AWG用于光网络单元无色WDM-PON
    2.5.7  AWG用于光交叉连接
    2.5.8  AWG用于光正交频分复用信号产生
    2.5.9  AWG用于傅里叶变换和逆变换—人工智能芯片应用
  2.6  光耦合器
    2.6.1  2×2波导光耦合器
    2.6.2  波导多模干涉分光器/耦合器
    2.6.3  边缘耦合器
    2.6.4  光栅耦合器
第3章  激光器、光放大器、光调制器
  3.1  激光器、光放大器
    3.1.1  半导体激光器工作的必要条件

    3.1.2  异质结半导体激光器
    3.1.3  量子限制激光器
    3.1.4  硅基异质集成量子点激光器
    3.1.5  分布反馈激光器
    3.1.6  半导体光放大器—人工智能芯片应用
    3.1.7  平面波导光栅波长可调激光器
    3.1.8  垂直腔表面发射激光器
    3.1.9  硅基微环外腔波长可调半导体激光器
  3.2  马赫-曾德尔干涉光调制器—矩阵乘法运算、人工智能等应用
    3.2.1  电光效应
    3.2.2  电光相位调制器
    3.2.3  马赫-曾德尔干涉光调制器工作原理—受控偏振光输出端干涉
    3.2.4  归零码差分正交相移键控MZM
    3.2.5  薄膜铌酸锂调制器
  3.3  电吸收调制器
    3.3.1  电吸收调制器工作原理—外加电压控制光的吸收损耗
    3.3.2  硅基Ⅲ-Ⅴ族波导电吸收调制器芯片
第4章  光探测器及高速光接收机芯片
  4.1  光探测概述
    4.1.1  光探测原理—光的受激吸收
    4.1.2  响应度和量子效率
  4.2  光探测器
    4.2.1  PN结光电二极管
    4.2.2  PIN光电二极管
    4.2.3  雪崩光电二极管
    4.2.4  单向载流子光探测器
    4.2.5  波导光探测器芯片
    4.2.6  肖特基结光探测器
    4.2.7  紫外光探测器
    4.2.8  光电晶体管
    4.2.9  硅基锗波导光探测器
  4.3  光接收机芯片
    4.3.1  电子载流子光接收机
    4.3.2  AWG多信道光接收机芯片
    4.3.3  107Gbit/s WG-PIN行波放大PLC光接收机芯片
    4.3.4  单片集成相干接收芯片
    4.3.5  硅基异质集成高速光接收机前置放大器芯片
第5章  高速光纤通信系统芯片及模块
  5.1  数字信号处理技术芯片
    5.1.1  数字信号处理在高比特率光纤通信系统中的作用
    5.1.2  数字信号处理技术的实现
    5.1.3  100Gbit/s系统数字信号处理器模块
    5.1.4  400Gbit/s系统数字信号处理器模块
  5.2  光传输系统模块演进
    5.2.1  100Gbit/s超长距离DWDM系统光收发模块
    5.2.2  单载波400Gbit/s传输系统模块
    5.2.3  双载波400Gbit/s传输系统模块
    5.2.4  四载波400Gbit/s传输系统模块
    5.2.5  800Gbit/s光传输系统模块
  5.3  硅光集成电路收发器芯片

第6章  发光及其显示芯片—电致发光、光致发光LED芯片
  6.1  电致发光和光致发光
    6.1.1  电致发光
    6.1.2  电致发光LED材料和结构
    6.1.3  光致发光
    6.1.4  LED的主要特性和应用
  6.2  电致发光显示芯片
    6.2.1  薄膜电致发光显示芯片
    6.2.2  厚膜/薄膜混合电致发光显示芯片
    6.2.3  粉末电致发光显示
  6.3  有机电致发光显示芯片
    6.3.1  OLED器件的结构
    6.3.2  OLED显示的工作原理
    6.3.3  有源矩阵驱动OLED显示芯片
  6.4  电致发光显示芯片的应用和发展前景
    6.4.1  有机电致发光显示芯片—柔性显示屏
    6.4.2  钙钛矿发光二极管及发展前景
第7章  光热效应、光电荷效应芯片—在红外感知器、图像传感器、
国防装备中的应用
  7.1  光热效应及其光感知芯片
    7.1.1  热敏效应—使阻值发生改变
    7.1.2  热释电效应—热感知成像系统
  7.2  光电荷效应芯片
    7.2.1  电荷耦合器件的工作原理—光/电转换、电荷存储及转移
    7.2.2  电荷耦合摄像芯片工作原理—二维图像光信号转换为一维电信号
    7.2.3  CCD芯片的应用—信号处理、数字存储和图像传感
    7.2.4  CMOS图像传感器—芯片上的照相机
    7.2.5  图像传感器系统及色彩分离技术
    7.2.6  CMOS和CCD摄像芯片比较
    7.2.7  光子效应芯片汇总
  7.3  红外热感知成像技术
    7.3.1  热感知成像机理—目标红外辐射分布不同
    7.3.2  热探测器、光/电转换和制冷
    7.3.3  热感知成像装置组成及工作原理
    7.3.4  焦平面阵列红外探测芯片
第8章  光电子芯片新技术及应用
  8.1  硅光技术
    8.1.1  概述
    8.1.2  英特尔硅基光电子芯片平台
    8.1.3  台积电硅基光电子芯片平台
  8.2  光电共封装技术
    8.2.1  光电共封装概述
      8.2.2  1.6  Tbit/s CPO架构、晶片键合、芯片倒装
    8.2.3  基于CPO的VCSEL收发器
    8.2.4  中介体、3D堆叠、光引擎及未来的CPO
  8.3  线性驱动可插拔光模块技术
    8.3.1  线性驱动可插拔光模块基本概念
    8.3.2  串行器/解串行器高速传输数据接口
  8.4  光调制器的技术进展及未来
    8.4.1  硅光调制器当前的技术瓶颈

    8.4.2  薄膜铌酸锂、氮化硅及应用
    8.4.3  光调制器新材料如何影响各种新应用
  8.5  光电子芯片应用
    8.5.1  5G/6G光传输网络
    8.5.2  射频信号光纤传输无线通信网络
    8.5.3  自动驾驶激光雷达测距
    8.5.4  数据中心光互联
    8.5.5  光电子人工智能芯片
    8.5.6  硅光芯片及其光学神经网络
    8.5.7  光子计算芯片
    8.5.8  光学相控阵雷达发射芯片
    8.5.9  量子芯片
    8.5.10  光子存储芯片
    8.5.11  光交换芯片
    8.5.12  战车、战机芯片
    8.5.13  氮化硅波导环光学陀螺仪
第9章  光电子芯片制造技术与工艺
  9.1  概述
    9.1.1  芯片制造工艺流程简介
    9.1.2  光电子芯片制造中的基本工艺
  9.2  光电子芯片半导体材料
    9.2.1  硅基材料
    9.2.2  化合物半导体材料
    9.2.3  柔性发光二极管材料
    9.2.4  光电子芯片关键光学感知材料
  9.3  光刻、蚀刻与薄膜淀积技术及设备
    9.3.1  光刻技术及光刻机
    9.3.2  蚀刻技术与设备—获得衬底表面图形
    9.3.3  薄膜生长（淀积）技术与设备
  9.4  掺杂技术
    9.4.1  热扩散向离子注入掺杂过渡
    9.4.2  离子注入掺杂技术及设备
  9.5  先进芯片制造技术
    9.5.1  从100nm 到7nm—以材料和工艺的创新为支撑
    9.5.2  Si基异质集成Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器
    9.5.3  硅基锗PIN光感知探测器制造工艺
    9.5.4  芯片封装技术
    9.5.5  从片上系统、立方体集成电路到晶粒封装
附录  缩写名词术语
参考文献

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